Технология радиоэлектронных средств. Ч.2: Рабочая программа, задание на контрольную работу и методические указания к ее выполнению, методические указания к выполнению лабораторных работ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

СЕВЕРО-ЗАПАДНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЗАОЧНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра технологии и дизайна радиоэлектронной техники

ТЕХНОЛОГИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ Часть 2 Рабочая программа Задание на контрольную работу и методические указания к ее выполнению Методические указания к выполнению лабораторных работ

Факультет радиоэлектроники Направление и специальность подготовки дипломированного специалиста: 654300 - проектирование и технология электронных средств 200800 - проектирование и технология радиоэлектронных средств Направление подготовки бакалавра 551100 - проектирование и технология электронных средств

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ 2004

Утверждено редакционно-издательским советом университета УДК 621.382-03 (07) Технология радиоэлектронных средств. Ч. 2.: Рабочая программа, задание на контрольную работу и методические указания к ее выполнению, методические указания к выполнению лабораторных работ. - СПб.: СЗТУ, 2004.19 с. Рабочая программа дисциплины разработана в соответствии с требованиями государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 654300 – “Проектирование и технология электронных средств” (специальность 200800 – “Проектирование и технология РЭС”) и направлению подготовки бакалавра 551100 – “Проектирование и технология электронных средств”. Рассматриваются основные базовые процессы микроэлектронной технологии, обеспечивающие возможность создания деталей радиоэлектронных средств. Приведена рабочая программа курса, сформулировано задание на контрольную работу, изложены методические указания к выполнению контрольной работы и лабораторных работ. Рассмотрено на заседании кафедры технологии и дизайна радиоэлектронной техники 28 сентября 2004 г., одобрено методической комиссией факультета радиоэлектроники 14 октября 2004 г. Рецензенты: кафедра технологии и дизайна радиоэлектронной техники СЗТУ (заведующий кафедрой В.Н. Воронцов, д-р техн. наук, проф.); В.М. Марахонов, канд. техн. наук, начальник научно-производственного комплекса микроэлектронных технологий ОАО “НИИ “Гириконд”. Составители: А.И.Адер, канд. техн. наук, доц., С.Д.Ханин, д-р физ.-мат. наук, проф. © Северо-Западный государственный заочный технический университет, 2004

ПРЕДИСЛОВИЕ Неотъемлемой частью подготовки инженерных кадров для современной радиоэлектроники является усвоение студентами достаточного объема теоретических знаний и практических навыков в области создания элементной базы радиоэлектронных средств (РЭС). Успешная деятельность специалистов в области конструирования и производства радиоэлектронной аппаратуры требует наличия у них четких представлений о спектре радиотехнических материалов, технологических процессов современной микроэлектроники, что в равной степени необходимо для успешной деятельности как в области конструирования, так и в области технологии РЭС. Изучение второй части дисциплины “Технология радиоэлектронных средств” рассчитано на 120 часов учебных занятий, из которых 22 часа отводится на лекции, 12 часов - на выполнение лабораторных работ, 106 часов предназначены для самостоятельной работы. Вторая часть дисциплины “Технология радиоэлектронных средств” изучается на пятом курсе студентами очно-заочной и заочной форм обучения специальности 200800 и направления 551100 в течение девятого семестра. В процессе изучения второй части дисциплины студенты сдают зачет по результатам выполнения контрольной работы и цикла лабораторных работ. Изучение второй части дисциплины заканчивается сдачей экзамена. ЦЕЛИ ИЗУЧЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Основными целями изучения дисциплины являются: ?ознакомление студентов с основами микроэлектронных технологий; ?усвоение студентами комплекса теоретических знаний и приобретение практических навыков в области базовых технологических процессов микро-

электроники, применяемых при изготовлении активных полупроводниковых структур, а также базовых процессов тонко- и толстопленочной технологии; ?подготовка студентов к решению задач, связанных с выработкой наиболее рациональных конструкторско-технологических решений при разработке и усовершенствовании элементной базы РЭС. ЗАДАЧИ ИЗУЧЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ В результате изучения дисциплины студенты должны: ?знать содержание и диапазон возможностей базовых технологических процессов современной микроэлектроники; типовые схемы технологических маршрутов изготовления элементной базы РЭС на основе полупроводниковой, тонко- и толстопленочной технологий, а также их сочетаний; виды технологического оборудования, используемого для реализации технологических процессов микроэлектроники; нетрадиционные микроэлектронные технологии как средство расширения возможностей базовых технологий; ?уметь использовать знания, полученные при изучении данной дисциплины, при разработке элементной базы РЭС; составлять и корректировать технологические маршруты изготовления изделий; обосновывать оптимальность применения того или иного технологического процесса для решения конкретных задач конструкторско-технологического проектирования. СВЯЗЬ С ДРУГИМИ ДИСЦИПЛИНАМИ Изучение данной дисциплины опирается на комплекс теоретических знаний и практических навыков, полученных при изучении таких общенаучных, общетехнических

и специальных дисциплин, как “Физика”, “Химия”,

“Физико-химические основы технологии электронных средств”, “Материаловедение и материалы электронных средств”, “Интегральные устройства радиоэлектроники”.

1. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ 1.1. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА (объем курса 120 часов) ВВЕДЕНИЕ ?1?, с.169; ?2?, с. 7...11; ?3?, с. 200...201 Общая характеристика микроэлектроники. Ретроспектива, современное состояние и тенденции развития микроэлектроники применительно к созданию элементной базы РЭС. Основы классификации интегральных микросхем (ИМС). Взаимосвязь конструкторского и технологического аспектов при проектировании, изготовлении и эксплуатации ИМС. Знания в области микроэлектронных технологий как неотъемлемая часть подготовки специалистов в области конструирования и технологии РЭС. 1.1.1. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ?1?, с. 169...171; ?2?, с. 54...76 Роль параметров воздушной среды (уровень запыленности, температура, влажность и др.) в процессе производства ИМС. Основные положения электронно-вакуумной гигиены. Процесс получения деионизованной воды. Интегрально-групповая технология как основа организации технологических процессов в микроэлектронике. Назначение и классификация подложек ИМС. Основные источники и виды загрязнений подложек в микроэлектронике. Технохимические процессы подготовки подложек полупроводниковых ИМС. Методы сухой и жидкостной очистки подложек.

1.1.2. КРЕМНИЕВАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА ?1?, с. 171...184; ?2?, с. 86...99, 109...135; ?3?, с. 329...339 Получение полупроводниковых структур методами эпитаксиального наращивания. Авто-, гетеро- и хемоэпитаксия. Молекулярно-лучевая, газофазная и жидкофазная эпитаксия. Хлоридный и гидридный методы эпитаксии кремния. Легирование эпитаксиальных структур. Методы контроля эпитаксиальных слоев. Термическое окисление кремния. Кинетика процесса. Окисление кремния в сухом и влажном кислороде, в парах воды. Пиролитическое осаждение пленок оксида кремния. Анодное окисление кремния. Получение пленок оксида кремния методами вакуумного осаждения. Технология других оксидных и нитридных пленок. Методы контроля качества диэлектрических пленок оксида и нитрида кремния. Технология диффузии. Способы проведения диффузии. Выбор диффузантов. Определение режимов процесса диффузии. Диффузионные процессы в технологии полупроводниковых ИМС. Методы контроля диффузионных структур. Получение полупроводниковых структур методом ионной имплантации (ионное легирование). Ионно-лучевой испаритель. Основные параметры и режимы

процесса

ионной

имплантации.

Методы

контроля

ионно-

имплантированных структур. 1.1.3. ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА ?1?, с. 187...203, 205...211; ?3?, с. 256...281 Вакуумные методы нанесения тонких пленок. Технология термического вакуумного напыления. Катодное и магнетронное

распыление. Ионно-

плазменное напыление. Современные модификации методов и оборудование. Осаждение тонких пленок химическими и электрохимическими методами. Формирование металлизации полупроводниковых приборных структур на ос-

нове тонких металлических пленок. Контроль состава, толщины, адгезии и электрофизических параметров тонких пленок. Способы формирования рисунка тонкопленочных элементов микросхем. Свободные и контактные маски. Раздельная и совмещенная фотолитография. Повышение разрешающей способности литографической технологии. Рентгено- и электронолитография. Методы селективного удаления тонких пленок. Жидкостное травление. Ионно-плазменное и плазмохимическое травление. Стабилизация и подгонка параметров тонкопленочных элементов. 1.1.4. ТЕХНОЛОГИЯ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК ?1?, с. 211...214; ?3?, с. 276...278, 353...367 Состав и технология приготовления проводниковых, резистивных и диэлектрических паст. Методы помола и контроль дисперсности порошков стекол и функциональных материалов. Изготовление трафаретов. Технология нанесения и вжигания паст. Оборудование для трафаретной печати и вжигания. Методы корректировки параметров толстопленочных конденсаторных и резисторных элементов гибридных интегральных микросхем (ГИС). 1.1.5. ПОЛУЧЕНИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР ?2?, с. 101...107 Создание активных оптоэлектронных структур с использованием авто- и гетероэпитаксиальных слоев. Технологические особенности эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIBV. Жидкофазная эпитаксия в открытой и в закрытой системах. Газофазная эпитаксия твердых растворов GaхAs1-хP гидридно-хлоридным методом в вертикальном реакторе. Выращивание твердых растворов GaхAl1-хAs, GaхIn1-хP гидридно-хлоридным методом эпитаксии в горизонтальном реакторе. 1.1.6. СБОРКА И ЗАЩИТА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

?1?, с. 203...214; ?2?, с. 300...317; ?3?, с. 368...383 Разделение полупроводниковых пластин и диэлектрических подложек на платы. Алмазное и лазерное скрайбирование. Резка алмазными дисками. Технология монтажа навесных компонентов на платы микросхем. Прямой монтаж. Метод перевернутого кристалла. Микроконтактирование. Проволочный монтаж с применением термокомпрессионной или ультразвуковой сварки. Сварка косвенным импульсным нагревом. Сварка расщепленным электродом. Применение припойных паст для монтажа компонентов и микроконтактирования. Корпусная и бескорпусная защита микросхем. Методы и способы герметизации. Вакуумплотная герметизация с использованием сварки или пайки. ЗАКЛЮЧЕНИЕ ?1?, с. 483...488 Перспективные направления развития микроэлектронных технологий.

1.2.ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН ЛЕКЦИЙ для студентов очно-заочной формы обучения (22 часа) 1. Введение: Микроэлектроника. Основные задачи, термины и определения. Классификация ИМС. Электронно-вакуумная гигиена. Получение деионизованной воды. Интегрально - групповой метод организации технологических процессов. Подложки ИМС. Технологические процессы подготовки подложек полупроводниковых и гибридных ИМС. 2. Кремниевая микроэлектроника. Технология эпитаксиального наращивания слоев кремния. Процесс термического окисления кремния. Технология пиролитических пленок SiO2. Получение пленок SiO2 методами вакуумного осаждения. 3. Диффузионные процессы в технологии полупроводниковых ИМС. Технология ионного легирования. 4. Тонкопленочная микроэлектроника. Вакуумные технологии на-

2 часа

4 часа 2 часа

несения тонких пленок. Газофазное осаждение тонких пленок. Анодные окисные пленки. Контроль параметров тонких пленок. 5. Формирование рисунка тонкопленочных элементов микросхем. Свободные и контактные маски. Фотолитография. Методы селективного удаления тонких пленок. Стабилизация и подгонка параметров тонкопленочных элементов ГИС. 6. Технология толстых пленок. Пасты для толстопленочной технологии. Процессы трафаретной печати и вжигания паст. Методы корректировки параметров толстопленочных элементов ГИС. 7. Технология создания активных оптоэлектронных структур с использованием авто- и гетероэпитаксиальных слоев. 8. Методы разделения полупроводниковых пластин и диэлектрических подложек на платы. Монтаж навесных компонентов ГИС. Микроконтактирование. Варианты защиты микросхем. Методы и способы герметизации. 9. Заключение: Перспективные направления развития микроэлектронных технологий.

4 часа

2 часа

2 часа 2 часа

2 часа 2 часа

1.3. ТЕМЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ? (12 часов) 1. Контроль удельного поверхностного сопротивления и толщины тонких резистивных пленок. 2. Формирование контактной маски для травления тонких пленок с использованием фотолитографии. 3. Формирование рисунка тонкопленочных элементов ГИС. 4.Контроль параметров тонкопленочных резисторных элементов ГИС.

4 часа 4 часа 4 часа 4 часа

_______________________

?

Студентами выполняются 3 лабораторных работы (по выбору преподавателя, см. раздел 4).

5. Газофазное осаждение тонких резистивных пленок 6. Приготовление проводниковых паст 7. Приготовление резистивных паст 8. Печать и вжигание толстопленочных проводников 9. Печать и вжигание толстопленочных резисторов 10. Лазерная подгонка толстопленочных резисторов 11. Монтаж навесных компонентов ГИС 12. Герметизация толстопленочных ГИС с использованием эпоксидных компаундов

4 часа 4 часа 4 часа 4 часа 4 часа 4 часа 4 часа 4 часа

2. БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК Основной: 1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.-2-е изд.- М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. 2. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие.- М.: Высш. школа, 1987. 3. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие.- М.: Высш. школа, 1986. Дополнительный: 4. Черняев В. Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высш. школа, 1987. 5. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. - М.: Радио и связь, 1989. 6. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987. 7. ОСТ 4.ГО.054.074-86. Микросборки тонкопленочные. Типовые технологические процессы. – М., 1986.

8. ОСТ 4.ГО. 054.242 ред. 1-78. Микросборки. Сборки. Типовые технологические процессы. – М., 1978.

3. ЗАДАНИЕ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЕЕ ВЫПОЛНЕНИЮ Предлагаемая к выполнению контрольная работа носит реферативный характер и охватывает основные аспекты технологических процессов современного микроэлектронного производства. Выбор варианта вопроса, на который в контрольной работе необходимо дать развернутый ответ, осуществляется студентом в соответствии с двумя последними цифрами шифра. Изменение варианта вопроса возможно только по согласованию с преподавателем. При выполнении контрольной работы студенты должны пользоваться учебной литературой, рекомендованной по данному курсу, а также дополнительной справочной и научно-технической литературой. Список использованной литературы, оформленный в соответствии с действующей нормативнотехнической документацией, приводится в конце работы.

ВАРИАНТЫ ВОПРОСОВ Методы конструктивного оформления ГИС

Последние цифры шифра 01,34,67

2. Тонкопленочные конденсаторы. Материалы. Технология изготовления. Основные характеристики

02,35,68

3. Лазерная подгонка в технологии толстопленочных резисторов

03,36,69

4. Технология газофазной эпитаксии кремния

04,37,70

5. Тонкопленочные резисторы. Материалы, способы нанесения слоев. Основные характеристики 6. Методы разделения полупроводниковых и диэлектрических подложек на платы микросхем 7. Перспективные литографические процессы в микроэлектронике (рентгено- и электронолитография) 8. Толстопленочные резисторы. Материалы. Технология. Основные характеристики 9. Подложки для тонкопленочных интегральных микросхем. Изготовление ситалловых подложек 10. Толстопленочные конденсаторы. Материалы. Технология 11. Лазерная подгонка тонкопленочных резисторов. Особенности топологического проектирования 12. Технология получения сплавных p-n переходов 13. Технология ионного легирования 14. Роль вакуумной гигиены в технологии ИМС 15. Технохимические процессы подготовки подложек полупроводниковых ИМС 16. Эпитаксиальная технология формирования p-n переходов 17. Технология получения деионизованной воды

05,38,71 06,39,72 07,40,73 08,41,74 09,42,75 10,43,76 11,44,77 12,45,78 13,46,79 14,47,80 15,48,81 16,49,82 17,50,83

18. Технология проволочного монтажа компонентов ГИС

18,51,84

19. Применение припойных паст в технологии монтажа компонентов ГИС 20. Методы вакуумплотной герметизации микросхем. Контроль герметичности 21. Технология и материалы для бескорпусной защиты микросхем 22. Технологические особенности эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV 23. Основные параметры и методы контроля качества тонких диэлектрических пленок 24.Технология получения диффузионных p-n переходов 25. 4-зондовый метод контроля удельного сопротивления полупроводниковых пластин 26. Контроль удельного поверхностного сопротивления тонких проводящих пленок 27. Технология эпитаксиального выращивания твердых растворов полупроводниковых соединений типа АIIIВV

19,52,85 20,53,86 21,54,87 22,55,88 23,56,89 24,57,90 25,58,91 26,59,92 27,60,93

28. Методы контроля толщины тонких пленок 29. Технология газофазного осаждения тонких пленок 30. Технология анодных окисных пленок и их применение в микроэлектронике 31. Технология термического окисления кремния. Влияние состава газовой среды на качество формируемых слоев 32. Технология формирования защитных слоев нитрида кремния 33. Методы сухой и жидкостной очистки подложек в микроэлектронике

28,61,94 29,62,95 30,63,96 31,64,97

32,65,98 33,66,99,00

4. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ Входящие в программу курса “Технологические процессы микроэлектроники” лабораторные работы выполняются на технологической базе научнопроизводственного комплекса микроэлектронных технологий ОАО “НИИ “Гириконд”. Каждая из предлагаемых к выполнению работ соответствует конкретной технологической операции, входящей в маршрут изготовления изделий, выпускаемых опытным производством ОАО “НИИ “Гириконд”. Перед началом работ студенты должны пройти инструктаж по технике безопасности, в ходе выполнения работ - неукоснительно соблюдать правила техники безопасности, изложенные в соответствующих инструкциях, действующих на предприятии. Целью лабораторных работ, помимо закрепления теоретических знаний и представлений, полученных при изучении курса, является приобретение студентами практических навыков работы с действующей конструкторскотехнологической документацией, технологическим оборудованием, оснасткой, измерительными приборами и комплексами.

При выполнении работ студенты используют действующие технологические инструкции, объектами исследований служат образцы, относящиеся к выпускаемым изделиям на разных стадиях их изготовления. Цикл лабораторных работ начинается с ознакомительного занятия, проводимого с привлечением специалистов предприятия. Далее студентами выполняются 3 лабораторные работы (по выбору преподавателя). По результатам выполнения каждой работы оформляются индивидуальные отчеты. Отчет должен содержать следующие разделы: 1. Цель работы. 2. Основные теоретические положения (в реферативной форме излагаются основы процессов и явлений, относящихся к изучаемому в данной работе технологическому процессу (переходу)). 3. Экспериментальная часть (описание оборудования и приборов, а также технологических переходов и приемов, использованных при выполнении данной работы). 4. Выводы (обоснованное заключение о влиянии параметров изучаемого технологического процесса на качество изготавливаемых ИМС). Защита отчетов по лабораторным работам проводится после выполнения всего цикла работ. Положительный результат защиты лабораторных работ является необходимым условием получения зачета и допуска к экзамену по данной дисциплине. 5. ВОПРОСЫ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ ЗНАНИЙ к разделу 1.1.1 1.Что такое “вакуумная гигиена” и какие категории производственных помещений необходимо использовать при изготовлении интегральных микросхем? 2. Как осуществляется контроль качества деионизованной воды? 3. Какие основные способы очистки подложек применяют в микроэлектронике?

4. Что представляет собой метод сухой очистки поверхности подложек? 5. Какие основные методы изготовления интегральных микросхем Вам известны? к разделу 1.1.2 1. Перечислите основные технологические процессы, применяемые для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. 2. Какие методы получения слоев двуокиси кремния Вам известны? Охарактеризуйте качество слоев двуокиси кремния в зависимости от метода их получения. 3. В каком диапазоне температур возможно получение слоев двуокиси кремния методом термического окисления? 4. Что такое метод эпитаксии и для чего он применяется в микроэлектронике? Как классифицируются эпитаксиальные процессы? 5. Охарактеризуйте и сравните хлоридный и гидридный методы эпитаксии кремния. 6. Каково назначение метода диффузионного легирования в микроэлектронике? Как распределяется примесь по глубине образца при диффузионном легировании? 7. С помощью какого технологического параметра управляют скоростью процесса диффузии примеси в полупроводнике? 8. Что такое ионная имплантация (ионное легирование)? Для чего в микроэлектронике применяется данный метод? 9. Что такое “загонка” и “разгонка” примеси? Каково назначение этих стадий при двухстадийном введении примеси в полупроводник? 10. Какую энергию необходимо сообщить ионам примеси, используемым в процессе ионной имплантации? к разделу 1.1.3 1. Какие основные методы получения тонких пленок и покрытий Вам известны?

2. Каковы основные особенности нанесения тонких пленок методом термического испарения в вакууме? 3. В чем заключается сложность получения пленок тугоплавких металлов и сплавов? 4. Опишите кинетику процесса конденсации тонкой пленки на подложке. 5. Перечислите и сравните известные Вам разновидности процесса ионного распыления. 6. Какими методами измеряют и контролируют толщину и скорость напыления проводниковых, диэлектрических и полупроводниковых тонких пленок? 7. Какие способы применяются для получения рисунка тонкопленочных элементов? 8. Что такое метод съемной (свободной) маски? Какими способами получают прецизионные маски? Каковы топологические ограничения применения этого метода? 9. Что такое метод контактной (растворимой) маски? Как подбираются материалы для формирования контактных масок? 10. Каково назначение процесса фотолитографии в микроэлектронике? Для чего фотолитография применяется в тонкопленочной, толстопленочной и полупроводниковой технологии? 11. Какому диапазону длин волн соответствует излучение, используемое в фотолитографических процессах? 12. За счет чего достигается повышение разрешающей способности литографических процессов при переходе от фотолитографии к электроно- и рентгенолитографии?

к разделу 1.1.4 1. Что такое “толстопленочная технология”? Каковы основные критерии, разделяющие “тонкие” и “толстые” пленки в микроэлектронике?

2. Как классифицируются пасты, применяемые в толстопленочной технологии? 3. Какие основные составляющие паст для толстопленочной технологии Вам известны? Что представляет собой “функциональный материал” в составе проводниковых, резистивных и диэлектрических паст? 4. Какие материалы используются в качестве “постоянного связующего” в составе проводниковых, резистивных и диэлектрических паст? Каково назначение “постоянного связующего”? 5. Для чего в состав паст вводят “временное связующее“? Поясните смысл терминов “постоянное связующее” и “временное связующее”, используемых применительно к рецептуре паст для толстопленочной технологии. 6. Что такое “припойные”(паяльные, лудильные) пасты? Для чего и как они применяются в технологии РЭС?

к разделу 1.1.5 1. Каковы технологические особенности эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIBV? 2. Опишите процесс газофазной эпитаксии твердых растворов GaхAs1-хP гидридно-хлоридным методом в вертикальном реакторе. 3. Опишите процесс эпитаксиального выращивания твердых растворов соединений типа АlllBV (GaхAl1-хAs, GaхIn1-хP) гидридно-хлоридным методом в горизонтальном реакторе. к разделу 1.1.6 1. Какие методы применяются в микроэлектронике для обеспечения контактных соединений при монтаже и сборке различных типов интегральных микросхем? 2. Перечислите и охарактеризуйте методы сварки, применяемые при изготовлении гибридных интегральных микросхем.

3. Перечислите и охарактеризуйте методы пайки, применяемые при изготовлении гибридных интегральных микросхем. 4. Опишите метод контактирования элементов гибридных интегральных схем с использованием токопроводящих клеев. 5. Перечислите известные Вам варианты конструктивного оформления гибридных интегральных микросхем и применяемые для их реализации технологические процессы. 6. Как осуществляется контроль герметичности корпусов интегральных микросхем? СОДЕРЖАНИЕ Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 1. Содержание дисциплины. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.1. Рабочая программа . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.2. Тематический план лекций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 1.3. Темы лабораторных работ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2. Библиографический список . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 3. Задание на контрольную работу и методические указания к ее выполнению . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11 4. Методические указания к выполнению лабораторных работ . . 13 5. Вопросы и задания для самопроверки знаний . . . . . . . . . . . . . . . 14

Редактор Т.В.Шабанова Сводный темплан 2004 г. Лицензия ЛР № 020308 от 14.02.97 Санитарно-эпидемиологическое заключение № 78.01.07.953.П.005641.11.03 от 21.11.2003 г.

Подписано в печать Формат 60х84 1/16 Б.Кн.- журн. П.л. 1,25. Б.л. 0,625. РТП РИО СЗТУ Тираж 75. Заказ Северо-Западный государственный заочный технический университет РИО СЗТУ, член Издательско-полиграфической ассоциации вузов России 191186, Санкт-Петербург, ул. Миллионная, 5