Электронная техника: Методические указания к лабораторным работам

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Оренбургский государственный университет» Колледж электроники и бизнеса Кафедра электронной техники и физики УТВЕРЖДАЮ Заместитель директора по научно-методической работе _____________С.А.Кузюшин “____”______________2004 г.

А.П. РЫЖКОВ

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ

Оренбург 2004

ББК 31.2. Я 73 Р 93 УДК 621.3 (073.3) Рецензент заведующая кафедрой Л.А. Бушуй

Р 93

А.П. Рыжков Электронная техника: Методические указания к лабораторным работам. – Оренбург: ГОУ ОГУ, 2004. - 36с.

Методические указания содержат тринадцать лабораторных работ по электронной технике и являются основным учебным руководством при выполнении работ студентами очной формы обучения специальности 2014 ─ «Техническое обслуживание и ремонт радиоэлектронной техники» в 3 и 4 семестрах. Методические указания составлены в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников для специальности 2014 среднего профессионального образования и примерной программой предмета «Электронная техника».

© Рыжков А. П., 2004 © ГОУ ОГУ, 2004

1 Лабораторная работа №1. Изучение лабораторного стенда Цель работы: изучить измерительные приборы и проверить источники питания лабораторного стенда. Оборудование: лабораторный стенд, соединительные провода. 1.1 Теоретическое введение При изучении инструкции по технике безопасности и пожарной безопасности обратите внимание на правила поведения в лаборатории при выполнении работ и в случае аварийной ситуации. Предел измерения прибора это наибольшее значение величины, которое он может измерить. При изучении приборов обратите внимание, что P1, P2 приборы одинаковые и имеют кнопочные переключатели, от которых зависит предел измерения и вид измеряемой величины. Р3 не имеет переключателей, поэтому его предел измерения – 100 мкА (это написано на шкале). Рисунки на стенде около переключателей обозначают: ― Кнопка отжата ― Кнопка нажата 1.2 Выполнение работы: 1) изучить инструкцию по техники безопасности и пожарной безопасности при выполнении лабораторных работ в данной лаборатории и расписаться в журнале по ТБ; 2) определить пределы измерения и цену деления приборов P1, P2 лабораторного стенда. При этом рассмотрите все варианты и запишите их в отчет, например, так: (×1; V) – вольтметр с пределом измерения 1В, цена деления ― 0,02 В/дел. 3) определить пределы измерения и цену деления приборов Р3 лабораторного стенда и запишите в отчет; 4) проверить источник постоянного тока «Рег. Uвых1». Для этого переключатели прибора Р1 установить в положение (×10; V) и соединить «+» прибора с «+» источника, (-) прибора с (-) источника. После проверки преподавателем, включить стенд и вращая ручку регулировки напряжения источника тока, определит, в каких пределах изменяется напряжение; 5) результаты записать в отчет; 6) то же самое повторить с источником «Рег. Uвых2»; 7) начертить схему для измерения силы тока и напряжения в резисторе R1;

8) на схеме указать положение переключателей приборов Р1и Р2. При выключенном питании стенда собрать схему; 9) после проверки цепи преподавателем включить стенд, установить напряжение 7В и измерить ток; 10) результаты записать в отчет; 11) выключить стенд и показать результаты преподавателю; 12) убрать проводники, навести порядок на рабочем месте.

2 Лабораторная работа №2. Исследование полупроводниковых диодов Цель работы: изучение наиболее характерных свойств электроннодырочного перехода, определяющих характеристики выпрямительного диода и стабилитрона. 2.1 Теоретическое введение Электронно-дырочный переход (р-n - переход) - это контакт двух проводников с различным типом проводимости. Изготовляется он обычно из одного кристалла полупроводника, в котором формируются области с повышенной концентрацией акцепторной примеси (р - область) и донорной ( n область). В зависимости от технологии изготовления существуют различные переходы, примером могут быть резкий или плавный переходы. В резком переходе область изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда, который образуется за счет диффузии электронов и дырок, а в плавном переходе - обратная ситуация. Если переход находится в равновесии (внешнее поле равно 0), то его состояние определяется двумя конкурирующими процессами: 1) диффузия основных носителей - дырок из р - области в n - область и диффузия электронов в обратном направлении; 2) дрейфом не основных носителей под действием электрического поля перехода. В условиях равновесия полный ток через переход (дрейфовый плюс диффузионный) носителей каждого знака равен нулю (рисунок 1). I

I0

0

U

Рисунок 1 – Полный ток, определяемый по формуле (1)

Полупроводниковый кристалл, в котором сформирован электроннодырочный переход и который заключен в корпус с двумя электрическими выводами, представляет собой p-n переход. Если приложить к переходу разность потенциалов U, то полный ток через переход будет определяться по формуле:  ± qU  I = I 0  e kT − 1 ,  

(1)

где I0 – ток насыщения, [А]; q– заряд электрона, [К]; k – постоянная Больцмана, [Дж/К]; T – абсолютная температура, [К]; U – приложенное к переходу внешнее напряжение, причем «+» (плюс) – соответствует прямому напряжению, «–» (минус) - соответствует обратному напряжению, В. На рисунке 1 показан график полного тока через p-n переход. 2.2 Предварительная подготовка к работе Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в изучении студентом теоретического материала. При изучении материала должны быть рассмотрены и кратко законспектированы следующие основные вопросы: 1) физические процессы, определяющие проводимость электроннодырочного перехода; 2) типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика; 3) основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны. 2.3 Рекомендуемая литература 1) Лачин В. И., Н. С. Савелов Электроника. ─ Ростов-на-Дону: «Феникс».2002.-500 с. 2) Гершунский Б.С. Основы электроники.- Киев, 1977.-430 с. 3) Бикулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов.М.:Радио и связь, 1990.- 335 с. 4) Тутов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Энергоатомиздат, 1990.-348 с.

2.4 Описание схемы измерения Снятие вольтамперной характеристики диодов производится по схемам на рисунке 2.

а)

б)

а) б) Рисунок 2 – Схемы для снятия вольтамперной характеристики диода Для уменьшения погрешности измерений следует соблюдать включения измерительных приборов. При прямом включении диода по схеме (рис. 2 а) миллиамперметр измеряет сумму токов, проходящих через вольтметр и диод. Т.к. сопротивления прямо включенного перехода мало по сравнению с внутренним сопротивлением вольтметра, ток через диод значительно превышает ток вольтметра, и погрешность измерения тока будет незначительной. Если по этой же схеме производить измерение обратного тока диода, то погрешность его измерения будет большой ввиду того, что сопротивление обратно смещенного перехода очень велико, и ток вольтметра может в несколько раз превышать ток диода. Поэтому измерение обратного тока диода следует производить по схеме (рис. 2 б), для которой существует некоторая погрешность измерения напряжения на диоде. Однако эта погрешность очень мала, т.к. падение напряжения на низкоомном миллиамперметре значительно меньше, чем падение напряжения на диоде. При исследовании обратной ветви характеристики стабилитрона от нуля до Uст следует пользоваться схемой на рисунке 2б, а при снятии рабочего участка, когда ток стабилитрона начинает резко увеличиваться, необходимо перейти к схеме на рисунке 2а, поменяв в ней полярность включения диода. Элементы схемы и измерительные приборы в значительной степени определяются типом исследуемого диода или стабилитрона. В таблицах 1 и 2 приведены основные параметры некоторых плоскостных диодов и стабилитронов, получивших широкое применение в электронной аппаратуре. Примечание: значение ЭДС источника постоянного тока, зависит от типа исследуемого полупроводникового прибора. Однако в большинстве случаев достаточно прикладывать к диоду в прямом направлении напряжение порядка 1В, а в обратном - порядка 30 - 40В. Таблица основных данных плоскостных полупроводниковых диодов представлена на странице 8.

Таблица 1 - Основные данные плоскостных полупроводниковых диодов Тип Выпрямленный Обратный диода ток ( среднее ток(среднее значение), значение), Iвыпр., А Iобр., mА

Наибольшая амплитуда обратного тока, Iобр..max, mА

Вид полупроводника

Постоянное прямое напряжение более, В

Д7АД7Ж

0,1-0,3

0,1

50-400

Германий

0,5

Д 202Д 205

0,4

0,5

100-400

Кремний

1,0

Д226 Б,Г,Д

0,300

0,1

400,300,200,100

Кремний

1,0

Таблица 2 - Основные данные полупроводниковых стабилитронов Прямое Тип Напряжение Максимальный Минимальный Дифференциальное ток стабилитрона стабилизации напряжение ток при I=5 MА при токе 50 mА стабилизации, стабилизации, сопротивление при I=5mА mА mА не более,В не более, Ом

Д219СД220С Д223С

1,0 - 1,5

50

1,0

33-20

3,0

6,10,12,15,18

Д808 - Д813

7-14

Д814А Д814Д

7-8, 50 ДО 11, 5-14

40-24

3,0

6,10,12,15,18

Д817 А,Б,В,Г Д815

56,68,82,100

90,75,60,50

5,5,5,5

52,60,87,75

8,2

950

50

1,5

2.5 Порядок выполнения работы: 1) снять прямые характеристики диодов; 2) используя панель А1 собрать схему с диодом VD1 (рисунок 3); 3) установить приборы в следующие режимы: P1(mA; x10); P2 (V; x1); 4) определить цену деления каждого прибора и записать в отчет на схеме;

5) снять зависимость Iпр. = f (Uпр.), изменяя Iпр. от 0 до 10 мА с интервалом 0.5мА, при помощи регулятора «Рег. Uвых. 1» и переключателя “0 – 3 / 3 – 12”; 6) повторить измерения с диодом VD2; 7) результаты измерений занести в таблицу 3; 8) снять обратные характеристики диодов; 9) используя панель А1 собрать схему с диодом VD1 (рисунок 4); 10) установить приборы в следующие режимы: P2 (V; x10); 11) определить цену деления каждого прибора и записать в отчет на схеме; 12) снять зависимость Iобр.= f (Uобр.), изменяя Uобр. в соответствии с таблицей 4; 13) результаты занести в таблицу 4; 14) построить ВАХ для диода VD1 и VD2; 15) определить для диодов ─ динамическое сопротивление Rпр~., Rоб~; 16) определить коэффициенты выпрямления Кв исследуемых диодов, для чего значения Iпр. ─ прямого тока и Iоб. ─ обратного при напряжении 0.1В подставить в формулу (2): Kв =Iпр./Iоб

(2 )

где Iпр - прямой ток при напряжении 0.1В, А; Iоб. ─ обратный ток при напряжении 0,1 В, А. 17) снять характеристики стабилитрона; 18) используя панель А1 собрать схему лабораторной установки с диодом VD4 (рисунок 5, страница 11); 19) установить приборы в следующие режимы: P1 (mA; x10); P2 (V; x10); 20) снять зависимость Iоб. = f (Uоб.), изменяя Iоб. от 0 до max (8 mA) c шагом 0,5 мА; 21) что бы снять ВАХ стабилитрона при прямом включении поменяйте полярность включения источника «Рег. Uвых. 1» и приборов Р1, Р2; Р2 переключить в положение (V; x1); 22) результаты измерений и вычислений занести в таблицу 5; 23) построить ВАХ для стабилитрона VD4; 24) определить для стабилитронов Uст, Iст max, Iст min; 25) сравните полученные параметры с их значениями из таблицы. 2.6 Содержание отчета 1) название и цель работы; 2) оборудование и перечень приборов; 3) схемы для снятия ВАХ диодов; 4) схемы для снятия ВАХ стабилитрона;

5) таблицы с результатами измерений; 6) ВАХ для VD1, VD2, VD4; 7) для диодов ─ динамическое сопротивление rпр., rоб. и коэффициенты выпрямления Кв; 8) для стабилитрона ─ Uст, Iст max, Iст min; 9) вывод о проделанной работе. Таблица 3 – Результаты измерений № опы та 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

VD1 VD2 Uпр(В) Iпр(мА) Uпр(В) Iпр(мА) 0 0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

0 0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

R 1/ 1K

Таблица 4 – Зависимость Iобр. = f (Uобр.) № опы та 1 2 3 4 5 6

VD1 VD2 Uобр(В) Iобр(мА) Uобр(В) Iобр(мА) 0 2 4 6 8 10

P1

(мА; х10)

+

« Рег.Uвых. 1»

0 2 4 6 8 10

P2

(V; x1)

VD 1 (VD 2)

Рисунок 3 – Схема прямого включеня диода 2.7 Контрольные вопросы 1) почему p-n переход часто называют запирающем слоем? 2) какое из приведенных утверждений правильное: а) электронно-дырочный переход - это слой, обеднённый носителями заряда; б) электронно-дырочный переход - это слой, обогащённый носителями заряда;

3) дайте характеристику обратимому и необратимому пробою p-n перехода; 4) как результаты работы подтверждают основное свойство диода, стабилитрона? Таблица 5 – Результаты ВАХ стабилитрона № Прямое включение Обратное включение п/п 1 U(В) I(мА) U(В) I(мА) 2 0 0 3 0,5 0,5 4 1 1 5 2 2 6 3 3 7 4 4 8 5 5 9 6 6 10 7 7 11 8 8 12 9 9 13 10 10

Р3

+ P2

«Рег.Uвых. 1»

(V; x10)

VD 1 (VD 2)

Рисунок 4 – Схема для обратного включения диода R5/1K P2

+

(мА; х10)

P1

(V; x10)

«Рег.Uвых. 1»

Рисунок 5 – Схема для снятия ВАХ стабилитрона

VD 4

3 Лабораторная работа №3. Исследование биполярного транзистора Цель работы: изучение особенности работы транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его параметров Оборудование: Лабораторная установка на базе стенда по промышленной электронике, соединительные провода. 3.1 Теоретическое введение Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих p-n перехода и предназначенный для генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы. Термин "биполярный" означает, что физические процессы в приборе обусловлены движением носителей заряда обоих знаков (электронов и дырок). Конструктивно транзистор представляет собой монокристалл полупроводника, в котором сформулированы чередующиеся области с разным типом проводимости. Соответственно различают транзисторы p-n-p типа и np-n типа. Средняя область, которая делается достаточно тонкой (что принципиально важно для работы транзистора), называется базой. Две другие - эмиттер и коллектор. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным и коллекторным p-n переходами. Из названий, очевидно, что назначение эмиттера - инжектировать носителя заряда в базу, задача коллектора экстракция носителей из базы. В соответствии с наличием трех выводов возможны три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ) (рис. 6a), с общим эмиттером (ОЭ) (рис. 6б), с общим коллектором (ОК) (рис. 6в).

Рисунок 6 – Схемы включения транзистора

Существует четыре режима работы биполярных транзисторов: нормальный активный, двойной инжекции, отсечки и инверсный активный. В нормальном активном режиме эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. В режиме двойной инжекции оба перехода включены в прямом направлении. В режиме отсечки оба перехода включены в обратном направлении. В инверсном режиме коллекторный переход включен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном. Поведение транзистора, как и любого другого прибора, в электрической цепи определяется его статическими характеристиками. Статические характеристики - это уравнения, связывающие входные и выходные токи и напряжения. Наиболее часто применяются зависимости входных и выходных токов и напряжений, выраженные в h - параметрах: U1 = h11 I1 + h12 U2 I 2 = h21 I1 + h22 U2 h - параметры имеют простой физический смысл : 1) h11 = U1 / I1 , при U2 = 0 – входное сопротивление при коротком замыкании выходной цепи; 2) h12 = U1 / U2 , при I1 = 0 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи; 3) h21 = I2 / I1 , при U2 = 0 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи; 4) h22 = I2 / U2 , при I1 = 0 – выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи. Итак, для определения h - параметров необходим режим короткого замыкания в выходной цепи и режим холостого хода во входной. Это достаточно просто осуществляется экспериментально, поскольку указанные режимы близки к режимам работы транзистора в реальных схемах. 3.2 Предварительная подготовка к работе Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомиться с основными положениями теории по изучаемому вопросу и ответить на контрольные вопросы. Рисунок 7 находится на следущей странице 14.

R2

P2

P3

+

+

Р1 (V; x1)

Рег. Uвых .1

V

Рег. Uвых. 2

Рисунок 7 – Схема снятия характеристик транзистора 3.3 Рекомендуемая литература 1) Батушев В.А. Электронные приборы .- М.:Высшая школа , 1969.-487 с. 2) Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы.- М.:Выс. школа, 1966.-475с. 3) Гершунский Б.С. Основы электроники.- Киев , 1977.-430 с. Таблица 6 – Предельно допустимые параметры некоторых транзисторов Тип транзистора

МП 40(П 14) МП 41(П 15) П 202 П 403 МП 42Б

Наибольший ток коллектора Iк,mА 20 20 2000 10 150

Наибольшее Наибольшее Наибольшее напряжение между напряжение между обратное коллектором и коллектором и напряжение между базой U бк mах ,В эмиттером эмиттером и базой 15 15 15 15 15 15 45 55 45 10 10 1 15 15 0.4

3.4 Выполнение работы 1) снятие входных характеристик и характеристики передачи тока транзистора; 2) используя панель А1 собрать схему лабораторной установки (Рисунок 7); 3) установить приборы в следующие режимы P1 (V; x1), P2 (mA; x10). В качестве V использовать например тестер Ц 20; 4) определите цену деления каждого прибора; 5) установить Uб-э = 0 с помощью регулятора «Рег. Uвых. 1», Uк-э = 3В с помощью регулятора «Рег.Uвых. 2»; 6) снять зависимость Iб = f (Uбэ), изменяя Uб-э так, чтобы IБ принимал значения от 0 до 100мкА с шагом 10мкА;

7) результаты измерений и вычислений занести в таблицу 7; 8) повторить измерения при Uкэ = 8В; 9) снять характеристику передачи тока ─ Iк = f (Iб), задавая те же самые значения IБ; 10) при этом фиксируйте значения Iб, Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 8. 3.5 Снятие выходных характеристик транзистора 1) снять зависимость Iк = f(Uкэ) изменяя Uкэ от 1 до 10В при Iб =20мкА ─ const, повторить при Iб = 40мкА, Iб = 80мкА; 2) результаты измерений занести в таблицу 9; 3) аналогично исследуем транзистор VT2, при этом меняем полярность включения приборов и источников питания на противоположную. 3.6 Содержание отчета 1) название и цель работы; 2) оборудование и перечень приборов, схема по рисунку 7; 3) таблица основных данных исследуемого транзистора; 4) таблицы с результатами измерений и графики: а) Iб = f (Uб-э) по таблице 7; б) Iк = f (Iб); Iк = f (Uб-э) по таблице 8; в) Iк = f (Uк-э) по таблице 9. 5) входное сопротивление транзистора (h11Э) находят из входных характеристик (h11э=∆Uбэ/∆Iб). По выходным характеристикам транзистора определяют значение выходной проводимости (h22э= ∆Iк /∆UКЭ), коэффициента передачи тока (h21э=∆Iк /∆Iб); 6) вывод о проделанной работе. Таблицы 7, 8, 9 находятся на странице 16.

Таблица 7 ─ Зависимость Iб = f(Uбэ) UКЭ = 3В № UКЭ = 8В опыта UБЭ(В) IБ(мкА) UБЭ(В) IБ(мкА) 1 0 0 2 10 10 3 20 20 4 30 30 5 40 40 6 50 50 7 60 60 8 70 70 9 80 80 10 90 90

Таблица 8 ─ Зависимость Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ) UКЭ = 6В – const № опыта UБЭ(В) IБ(мкА) IК(мА) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

№ опыта

Таблица 9 ─ Зависимость IК = f(UКЭ) Iб = 20мкА Iб = 40мкА Iб = 80 мкА Uкэ Iк Uкэ Iк Uкэ Iк В мА В мА В мА 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

3.7 Контрольные вопросы 1) перечислите основные режимы работы транзисторов; 2) какие факторы определяют усилительные свойства транзистора? 3) какими отличительными особенностями характеризуются три схемы включения транзистора ? 4) какие существуют семейства статических характеристик транзистора? 5) перечислите h - параметры транзистора, объясните их физический смысл и способ их экспериментального определения; 6) почему процесс усиления по току осуществляется в схеме включения транзистора с общей базой; 7) как влияет величина напряжения на участке коллектор - эмиттер на положение входной статической характеристики транзистора?

8) чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора по схеме с общей базой? 9) как результаты работы подтверждают основное свойство биполярного транзистора?

4 Лабораторная транзисторов

работа

№4.

Исследование

полевых

Цель работы: изучение характерных свойств полевых транзисторов и ознакомление с методикой измерения их основных характеристик и параметров. 4.1 Теоретическое введение Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на полевом эффекте – изменение электропроводимости поверхностного слоя под действием электрического поля, направленного перпендикулярно поверхности. Основой приборов, работающих на полевом эффекте (полевых транзисторов, например) является структура МДП (металл, диэлектрик, полупроводник). Устройство полевого транзистора на основе МДП-структуры показано на рисунке 8. Uc -

+ Uз +

исток

p

сток

затвор

-

p

p

SiO2 n - Si

Рисунок 8 – Устройство транзистора на основе МДП-структуры От биполярного транзистора полевой транзистор отличается: 1) принципом действия: в биполярном транзисторе управление производится входным током, а в полевом транзисторе - входным напряжением или электрическим полем; 2) полевой транзистор (это очень важно!) обладает большим входным сопротивлением - это сопротивление обратно смещенного p-n перехода;

3) в полевом транзисторе не используется инжекция неосновных носителей заряда - отсюда уменьшение рекомбинационных явлений и низкий уровень шумов (особенно на низких частотах). МДП-транзисторы подразделяются на: полевой транзистор с изолирующим затвором работает на основе появления индуцированного проводящего канала, т.е. заметный ток стока появляется только при определенной полярности и определенном значение напряжения на затворе относительно истока; полевой транзистор с изолирующим затвором транзистор со встроенным каналом, изготовляемым технологически. Существуют также полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Сущность, которого состоит в изменении площади сечения канала в соответствии с изменением напряжения между затвором и истоком Uзu. Легко увидеть, что принципы работы полевых транзисторов с изолированным затвором и управляющим p-n переходом в основном совпадают: 1) цепь управления изолирована от выходной цепи и потребляет ничтожную мощность управления; 2) эффект управления сводится к изменению сопротивления проводящего канала; 3) управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно выходному току (структура с горизонтальным каналом). Однако отметим принципиальную разницу: полевой транзистор с управляющим p-n переходом ПТУП - это нормально открытый прибор, а МДП-транзистор с изолированным затвором - нормально закрытый. Отсюда меньше входное сопротивление у ПТУП, меньшем по сравнению с сопротивлением у МДПТ, меньшее у него и быстродействие. Есть у ПТУП и преимущества: малый уровень собственных шумов, высокая стабильность параметров во времени, высокая радиационная стойкость. 4.2 Предварительная подготовка к работе В процессе подготовки должны быть рассмотрены следующие основные вопросы: 1) структура полевого транзистора с p-n переходом; 2) различные типы полевых транзисторов; 3) структура МДП-транзистора; 4) отличие между полевыми транзисторами с p-n переходом и МДПтранзистором; 5) статические характеристики полевых транзисторов; 6) основные параметры полевых транзисторов; 7) достоинства и недостатки полевых транзисторов; 8) применение полевых транзисторов в элементарных схемах.

4.3 Рекомендуемая литература 1) А. К. Криштафович, В. В. Трифонюк. Учебник для техникума “ Основы промышленной электроники” М. высш. шк. 1985 г.-340 с. 2) Д. В. Игумнов, Г. В. Королев, И. С. Громов “Основы микроэлектроники”. 3) Р. М. Терещук, К.М.Терещук, С.А.Седов “ Справочник радиолюбителя” КИЕВ Наукова Думка 1989 г.- 456 с. 4) Батушев В. А. Электронные приборы.- М.: Выс. школа, 1969 г. Гл. IX, §9.3 5) Гершунский Б. С. Основы электроники.- Киев, 1977 г, Гл. X § 10, 11. 6) Пасынков и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Выс. школа, 1966 г.-475 с. 4.4 Выполнение работы 1) собрать схему (рисунок 9); 2) рассчитать цену деления каждого прибора; 3) по разрешению преподавателя включить стенд; 4) снять стоко - затворные характеристик транзистора КП103; VT 3

R1 µA

+

+ Рег. Uвых. 1

Р1

Р2

Рег. Uвых. 2

Рисунок 9 – Схема для снятия характеристик транзистора КП103 5) выставить по прибору Р2 напряжение Uси = 5В; 6) изменять за счет “Рег.Uвых I” Uзи от 0 с шагом 0.2В пока “мкА” не покажет “0”. Показания приборов “Р1” и “мкА” записывать в таблицу 10 (страница 20); 7) повторить все действия при Uси = 10В. Показания приборов занести в таблицу 10; 8) снять стоковые характеристики: Ic = f(Uси) при Uзи = const; 9) включить стенд; 10) установить Uзи = 0.2В ручкой “Рег. Uвых. 1” по прибору “Р1”; 11) изменяя Uси от 0 до 9В с шагом 0.5В записать Uси, Ic в таблицу 11(страница 20);

12) повторить действия п/п 10, 11 для Uзи = 0.5В, затем Uзи = 0.8В. Результаты занести в таблицу 11; 13) снять стоко-затворную характеристику Ic = f(Uзи) при Uси = const транзистора КП301 для этого: ─ собрать схему (Рисунок 10); ─ по разрешению преподавателя: ─ включить стенд; ─ выставить ручкой “Рег. Uвых. 1” по прибору “P2” Uси = 2В. Изменять Uзи в соответствии с таблицей 12 (страница 20). Показания приборов занести в эту таблицу 12; ― повторить 13 для Uси = 10В ; Таблица 10 – Показания приборов Таблица 11 – Показания UСИ, IС №

Uси = 5В Uси = 10В Uзи Ic Uзи Ic В мкА В мкА 1 0 0 2 0,2 0,2 3 0,4 0,4 4 0,6 0,6 5 0,8 0,8 6 1 1 7 1,2 1,2 8 1,4 1,4 9 1,6 1,6 … … …

Uзи=0,2 В Uзи=0,5 В Uзи=0,8 В N Uси Iс Uси Iс Uси Iс В мкА В мкА В мкА 1 0 0 0 2 0,5 0,5 0,5 3 1 1 1 4 1,5 1,5 1,5 5 2 2 2 6 2,5 2,5 2,5 ... … … … 19 9 9 9

Таблица 12 – Зависимость Iс = f(Uзи) при Uси = const Uси =8В Uси =10В

Uзи Iс Uзи Iс

В мкА В мкА

0

0,5

1

1,5

1,6

1,7

1,8

1,9

2

2,1

2,4

2,6

2,8

3

0

0,5

1

1,5

1,6

1,7

1,8

1,9

2

2,1

2,4

2,6

2,8

3

VT3

Рег. Uвых.1

P1

+

µА

( х10; V )

P2

Рег. Uвых.2 ( х10; V ) +

Рисунок 10 – Схема для снятия характеристик транзистора КП301 14) по результатам работы построить характеристики и определить параметры: а) по таблице 10 для транзистора КП103 построить две стокозатворные характеристики Ic = f(Uзи) при Uси = 5В и 10В. По этим характеристикам определить: Sсз., Uотс., Ico; б) по таблице 11 для транзистора КП103 построить три стоковые характеристики: Ic = f(Uси) при Uзи = 0.2В; 0.5В и 0.8В; в) по таблице 12 для транзистора КП301 построить две стокозатворные характеристики Ic = f(Uзи) при Uси = 8В и 10В; 15) по характеристикам определить: Uпор., Sсз. 4.5 Содержание отчета 1) тема, цель, оборудование; 2) ход работы; 3) справочные параметры полевых транзисторов; 4) схема по рисунку 9 и таблица 10,11 с результатами; 5) схема по рисунку 10 и таблица 12 с результатами; 6) для транзистора КП103 построить две стоко-затворные характеристики Ic = f(Uзи) при Uси = 5В и 10В. По этим характеристикам определить: Sсз., Uотс., Ico.; 7) для транзистора КП103 построить три стоковые характеристики: Ic = f(Uси) при Uзи = 0.2В; 0.5В и 0.8В; 8) для транзистора КП301 построить две стоко-затворные характеристики Ic = f(Uзи) при Uси = 8В и 10В. По характеристикам определить: Uпор., Sсз; 9) сравнение вычисленных и справочных параметров транзисторов; 10) ответы на вопросы; 11) выводы по результатам измерений.

4.6 Контрольные вопросы 1) объясните принцип работы полевого транзистора с p-n переходом и МДП–транзистора; 2) в чем различие характера управления стоковым током в данных транзисторах? 3) укажите основные отличия полевых транзисторов от биполярных; 4) изобразите и поясните статические сток - истоковые характеристики полевых транзисторов; 5) назовите основные дифференциальные параметры полевых транзисторов и способы их определения; 6) дать полное название транзистору КП 103 и КП 301; 7) какие параметры транзистора КП 103 определяются в этой работе? Поясните, что они показывают и как определяются? 8) какие параметры транзистора КП 301 определяются в этой работе? Что они показывают и как их определить? 9) поясните смысл остальных параметров этих транзисторов по справочнику; 10) почему транзисторы, которые исследуются в этой работе, называются полевыми? 11) поясните принцип включения таких транзисторов; 12) как результаты работы подтверждают основное свойство полевых транзисторов?

5 Лабораторная работа №5 Исследование тиристоров Цель работы: исследование физических процессов, происходящих внутри объема полупроводника и определяющих его основные характеристики, а также ознакомление с методикой измерения основных параметров и способа переключения тиристора. 5.1 Теоретическое введение Тиристор - это полупроводниковый прибор с тремя и более p-n - переходами, имеющий на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением. Тиристоры используются, в основном, в схемах переключения. Существуют двухэлектродные тиристоры - динисторы; трехэлектродные тиристоры - тринисторы, в которых возможно управление напряжением включения тиристора. Разработаны тиристоры, имеющие одинаковые ВАХ при различной полярности приложенного напряжения. Это симметричные тиристоры - симисторы. Включение тиристора как это следует из вышесказанного, можно производить: а) путем медленного увеличения анодного напряжения; б)путем подачи напряжения на управляющий электрод. Возможно также включение тиристора путем быстрого увеличения анодного

напряжения. При этом через прибор будут протекать значительные емкостные токи, приводящие к уменьшению напряжения включения с ростом скорости изменения напряжения ∂U ∂t . 5.2 Предварительная подготовка к работе Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомится с основными положениями теории по изучаемому вопросу, сделать конспект и ответить на контрольные вопросы. При подготовке обратить внимание на следующие положения: 1) применение тиристоров; 2) деление тиристоров на классы; 3) устройство и схематическое изображение управляемых и неуправляемых четырехслойных структур; 4) схемы включения тиристоров; 5) вольт – амперные характеристики динисторов и тринисторов и объяснение их особенностей; 6) способы включения и выключения тиристоров; 7) параметры тиристоров и их экспериментальное определение. В работе используется триодный тиристор (тринистор), основные электрические параметры которого (КУ201Б) приведены в таблице 13. Таблица 13 – Основные электрические параметры триодного тиристра Предельно допустимые значения Пост. Обр. ток Ср. расс. Мате Напряж Отпир. Ток в Мин. ток Прям. Пост. ток Пост. в напряж. в открыт. прям. обрат. риал, в открыт. Напряж. закрыт. УЭ мощность (Вт) сост. УЭ при сост. открыт. На УЭ сост. (A) напряж. напряж. (mA) струк в закрыт. тура (В) Iу=100 (mA) сост. (В) (В) сост. (В) (mA) mA (В)

Тип тирис тора

КУ201 Б КУ202 Л

кремн. p-n-p-n кремн. p-n-p-n

2

6

5

100

10

2

30

10

10

360

25

5

4

5

20

5.3 Рекомендуемая литература 1) А. К. Криштафович, В. В. Трифонюк. Учебник для техникума “ Основы промышленной электроники” М. высш. шк. 1985 г.-340 с. 2) Д. В. Игумнов, Г.В. Королев, И. С. Громов “Основы микроэлектроники”. Р. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов “ Справочник радиолюбителя” КИЕВ Наукова Думка 1989 г.-500 с. 3) Конспект лекций по полупроводниковым приборам. 4) Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1969, Гл.IX.

5) Гершунский Б. С. Основы электроники.- Киев, 1977, Гл.X, § 10.14. 5.4 Выполнение работы 1) выписать из таблицы 4.1 основные параметры тиристора и предельные эксплутационные данные, а также рассчитать предельный ток: I а , пред =

где

Рдоп

Uа

(3)

Iа. пред – предельно допустимый ток анода, Pдоп- предельная допустимая мощность тиристора, Uа –номинальное напряжение в цепи анода.

2) собрать схему для снятия вольт – амперных характеристик тиристора, согласно рисунка 11. 3) На схеме: прибор V –выдается преподавателем это вольтметр с пределом 15В и более. 4) по разрешению преподавателя снять ВАХ тиристора: Iа = f (Uа), при Iу – const. Для этого: а) включить стенд. Ручками “Рег. Uвых. 1” и “Рег. Uвых. 2 установить Iу = 0 ( по прибору Р1) и Ua = 0 ( по прибору V); б) ручкой “Рег. Uвых. 1” установить Iу заданный преподавателем ( по прибору Р1); VS 1 RP 1

R5 x

P1 Рег.

(x 10;

V

+

Рег. Uвых.

Рисунок 11- Схема для снятия характеристик тиристора в) постепенно увеличивать Uа от 0 с шагом 1 В до момента открытия тиристора (Iа- скачком увеличивается, Uа – скачком уменьшается); Затем увеличиваем ток анода с шагом 1мА пока он не станет равным 10 мА (по прибору Р2); г)после этого уменьшать Ua так, чтобы Iа уменьшался с шагом 1мА до момента закрытия тиристора (Iа ─ скачком уменьшается, Uа ─ скачком увеличивается); 5) результаты измерений занести в таблицу 14 (страница 25);

Iу=

Таблица 14 – Результаты измерений Ua

В

Ia

мА

6) построить ВАХ Ia = f (Ua) при Iy = const по таблице. Прямой ход графика (Ua возрастает) обвести одним цветом, обратный ход (Ua убывает) другим цветом; 7) определить U откр. при заданном Iy по ВАХ; 8) определить Iа. уд. при Iy = 0, для этого: а) открыть тиристор (установить заданный Iy и затем Ua > U откр.); б) отключить управляющий электрод от источника (снять провод c “Uвых 1”); в) постепенно уменьшать Ua и записать Iy при котором тиристор закроется. Этот ток и будет I а. уд.. 5.5 Вопросы: 1) что называется тиристором? 2) назовите основное свойство тиристора; 3) сформулируйте принцип включения тиристора; 4) как определить I а. уд.? Что он показывает? 5) что такое U откр.? Что при этом напряжении происходит в тиристоре? 6) почему тиристор называют управляемым вентилем? 7) покажите на ВАХ участки соответствующие открытому и закрытому состоянию тиристора? 8) какие составляющие токов протекают в управляемом тиристоре? 9) какими способами можно включить тиристор? 10) какими способами можно выключить тиристор? 11) как меняется вольт – амперная характеристика триодного тиристора при изменении тока на управляющем электроде? 5.6 Содержание отчета 1) тема, цель, оборудование; 2) справочные параметры тиристора и схема для снятия характеристик; 3) таблицы измеренных зависимостей; 4) графики экспериментальных зависимостей: I a = f (U a ) ; 5) выписать значение: IА. уд., Uотк; 6) ответы на вопросы; 7) выводы по результатам измерений.

Рисунок 12Резистивный усилитель по схеме с ОЭ

Рисунок 13- Диаграмма токов и напряжений

6 Лабораторная работа № 6 резистивного усилителя

Исследование каскада

Цель работы: исследовать каскад усилителя на транзисторе, включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Оборудование: лабораторная установка на базе стенда по промышленной электронике, генератор НЧ, осциллограф, соединительные провода. 6.1 Теоретическое введение Резистивный усилитель — это усилитель, у которого в качестве нагрузки используются резисторы. Так как в этом усилителе из-за отсутствия катушек индуктивности (индуктивностью выводов элементов пренебрегаем) не возникает колебательных процессов, то резистивный усилитель часто называют апериодическим усилителем. Резисторы в резистивном усилителе используются в качестве внутренней и внешней нагрузки. На рисунке 12 приведена наиболее часто используемая схема однокаскадного резистивного усилителя с общим эмиттером (ОЭ). Схема с ОЭ при прочих равных условиях дает наибольший коэффициент усиления по мощности. В качестве внутренней и внешней нагрузки используются резисторы Rк и Rн соответственно. Внешний нагрузочный резистор может отсутствовать, если в качестве внутренней коллекторной нагрузки включены громкоговоритель, реле, линия связи и т. п. Назначение разделительных и блокировочных конденсаторов в схеме рассмотрено выше.

Приведенную схему отличают две особенности. Первая — использование вместо источника смещения Е6э резистивного делителя напряжения, состоящего из резисторов R1 и R2. Делитель используется для экономии — не требуется дополнительного относительно сложного и дорогостоящего источника питания. Сопротивления резисторов делителя подбирают

Рисунок 14- АЧХ резистивного усилителя. так, чтобы на базу относительно эмиттера поступала только часть напряжения питания, равная открывающему напряжению ЕБЭ = 0,5...0,8 В. В простейших схемах резистор R2 исключают и устанавливают открывающее напряжение с помощью одного резистора R1. Вторая отличительная особенность схемы на рисунке 12 — использование резистора Rэ. Сопротивление этого резистора равно Rэ = 0,1... 1 кОм. Его назначение — обеспечить температурную стабилизацию параметров каскада. Стабилизация возникает благодаря возникающей отрицательной обратной связи. Работа резистивного усилителя при подаче на вход гармонического сигнала иллюстрируется диаграммой токов и напряжений, показанной на рисунке 13 а, б, в, г. На рисунке 13 а приведена передаточная характеристика транзистора. Это зависимость выходного тока коллектора от управляющего напряжения между базой и эмиттером. На характеристике показана рабочая точка, соответствующая открывающему напряжению Ебэ = 0,5 ... 0,8 В и постоянному току коллектора Iк0 (для маломощных транзисторов Iк0= 0,1... 10 м А). На рисунок 13 в приведена зависимость от времени напряжения на базе транзистора, равного сумме напряжения смещения Ебэ и входного переменного сигнала. Амплитуда переменного сигнала для обеспечения линейного режима работы усилителя не должна превышать 0,1 В. Зависимость тока коллектора от времени, показана на рисунок 13 б. График получен на основе кривых рисунок 13 а и рисунок 13 в. Порядок построения показан стрелками и пунктирными линиями. Как видим, при увеличении входного напряжения увеличивается ток коллектора транзистора. Переменная составляющая этого тока, протекая по

резисторам Rк и Кн, создает на коллекторе транзистора переменное напряжение, показанное на рисунок 13 г. Отметим, что при увеличении тока коллектора напряжение на коллекторе уменьшается, так как увеличивается падение напряжения на резисторах Rк и Rн, — так возникает дополнительный фазовый сдвиг между входным и выходным напряжениями, равный 180°. Напряжение на выходе усилителя, возникающее на резисторе Rн, будет содержать только переменную составляющую. Постоянное напряжение на коллекторе транзистора, равное Uк0 = Еп — RкIко, отделено от резистора Rн выходным разделительным конденсатором. Показатели резистивного усилителя легко получить, используя ранее полученные формулы. Входная проводимость резистивного усилителя с учетом резистивного делителя равна Ỷвх =1/г6э + 1/ R1 + 1/ R2. Выходное сопротивление равно Ζвых ≈ Rк. При Rк» Rн коэффициент усиления усилителя равен Кu = - SRн. Например, если крутизна маломощного транзистора S = 20 мА/В, а сопротивление нагрузки Rн = 0,5 кОм, то модуль коэффициента усиления по напряжению резистивного усилителя равен К0= 10. Отметим, что эти показатели получены на так называемых средних частотах входного сигнала, когда сопротивления разделительных и блокировочных конденсаторов пренебрежимо малы и инерционность транзистора и его паразитные емкости не учитываются. Область средних частот (СЧ) отмечена на рисунок 14, на котором показана АЧХ резистивного усилителя. В области низких частот (область НЧ) коэффициент усиления усилителя уменьшается из-за увеличения емкостных сопротивлений разделительных конденсаторов. На нулевой частоте сопротивление разделительных конденсаторов равно бесконечности и коэффициент усиления усилителя равен нулю. С уменьшением частоты увеличиваются также сопротивления блокировочных конденсаторов. Как правило, это тоже приводит к уменьшению коэффициента усиления усилителя. На высоких частотах (область ВЧ) начинают сказываться инерционность транзистора, емкости его переходов, а также паразитные емкости монтажа, возникающие между выводами радиоэлементов и корпусом устройства. Указанные емкости невелики. Однако с ростом частоты сопротивление внутренних емкостей транзистора и паразитных емкостей монтажа уменьшается и в пределе, при f—> ∞, выводы транзистора по переменному напряжению оказываются закороченными, а выводы радиоэлементов — соединенными с корпусом. Поэтому коэффициент усиления усилителя с ростом частоты уменьшается в пределе до нуля. Для описания частотных свойств резистивного усилителя вводятся две граничные частоты: fнч и fвч — граничные частоты для областей низких и высоких частот соответственно (рисунок 6.3). Как правило, они определяются по уровню 0,707 от значения коэффициента усиления усилителя в области средних частот. Например, для телефонных каналов связи эти частоты обычно равны: fнч = 300 Гц и fвч = 3400 Гц. Все усилители для телефонной линии должны обеспечивать усиление в указанном диапазоне частот. В противном

случае ухудшится качество связи и, например, будет плохо работать модем компьютера. 6.2 Предварительная подготовка к работе Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомится с основными положениями теории по изучаемому вопросу, сделать конспект и ответить на контрольные вопросы: 1) что называется резистивным усилителем? 2) поясните назначение элементов схемы и их влияние на параметры усилителя; 3) перечислите параметры и характеристики усилителя и поясните их смысл; 4) как определить диапазон усиливаемых частот, динамический диапазон усилителя по характеристикам? 5) что называется линейными и нелинейными искажения? 6) какие элементы вызывают линейные и нелинейные искажения? 6.3 Порядок выполнения работы 1) снятие частотных характеристик УНЧ; 2) используя панель А3 собрать схему усилителя низкой частот по рисунку 15; + Ек

R2/ 10к

R7/ 2,7к C9/ 100 мкФ

Uвых

С1/ 100 мкФ VT (С 2/ 10 нФ) Uвх. от генератора

RP1

R8 /200 oм (R11/ 1к)

С5/ 100 мкФ (С6/ 100 нФ )

Рисунок 15 - Схема резистивного усилителя

3) снять частотные характеристики каскада Ku = f (F) при различных значениях элементов схемы. Для этого: а) подсоединить элементы С1,С5,С9,R8; б) с помощью генератора установить Uвх=20мВ. Подавать с генератора по очереди напряжение частотой, Гц: 20 , 50, 200, 500; 1*103, 5*103, 10*103, 15*103, 20*103, 25*103 ,50*103 , 75*103 , 90*103 , 100*103; в) для всех заданных частот проверять напряжение Uвх=20мВ и измерять UвыхЯ; г) элемент С1 заменить на C2 и повторить измерения; д) элемент С5 заменить на C6 и С2 заменить на C1, повторить измерения; 4) результаты измерений внести в таблицу 16; 5) вычислить Ku = Uвых / Uвх. ― коэффициент усиления для каждой частоты; 6) построить по полученным значениям характеристики Ku = f(lg F) и определить Fн. ― низшую границу диапазона усиливаемых частот для одной из характеристик; Таблица 16 – Результаты измерений Частота F, Гц

Uвх=20мВ ― const. C2,C5,C9,R8 Uвых.(В) Кu

С1,С5,С9,R8 Uвых.(В) Кu

C1,C6,C9,R8 Uвых.(В) Кu

20 50 …. 8) снятие амплитудных характеристик УНЧ; 9) снять амплитудные характеристики каскада: Uвых = f (Uвх) при частоте F = 1кГц; 10) результаты измерений занести в таблицу 17; Таблица 17 – Результаты измерений Uвх, мВ Uвых, мВ

О

5

20

40

100

150

200

250

11) построить по полученным значениям график амплитудной характеристики: Uвых = f (Uвх); 12) по графику определить динамический диапазон усилителя ∆UВХ , для которого нелинейные искажения малы.

6.4 Содержание отчета 1) тема, цель, оборудование; 2) ход работы: схема, таблица с результатами измерений и графики: а) Ku = f (F); б) Uвых = f (Uвх); 3) значения Fн и ∆UВХ; 4) ответ на вопрос: как результаты работы подтверждают роль разделительного и блокировочного конденсаторов? 6.1.1 Выводы по результатам измерений.

Приложение А (справочное)

Справочные данные по элементам А1 Резисторы R2 – (МЛТ- 0.125 – 10К) . R7 – (МЛТ – 0.125 – 2.7К). R8 – (МЛТ – 0.125 – 200 Ом), R11- (МЛТ – 0.125 – 1К). RP1 – (СП 4 – 1- 6.7К) – номинальная мощность при t C = 0 - 5Вт, функциональная характеристика: А Транзистор VT (KT315 Г)

А2 Конденсаторы С9, С5 ─ (К50 – 6 – 16 – 100 мкФ) – электролитический, номинальное напряжение - 16 (В). Допустимая амплитуда напряжения переменной составляющей на частоте 50 Гц – 5…25 (%). Емкость – 100 мкФ. С1 ─ (К50 – 6 – 16 – 30 мкФ) параметры те же, емкость – 30 мкФ. С2 ─ (КМ – Н90 – 10 нФ) – номинальное напряжение – 35, 25 (В). Группа ТКЕ – Н90. Емкость – 10 (нФ). С6 ─ (КМ6 – Н90 – 100 нФ) – параметры те же, кроме емкости – 100 (нФ).

Приложение Б (справочное)

Расчеты h-параметров По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, находят его малосигнальные параметры методом характеристического

∆Ik (∆Ukэ = 6.7В) треугольника. Так, для Iб = 150 мкА и Uкэ = 5 В (точки 0 и Р на рисунке П.1) имеем:

∆ I б = 0 . 2 ⋅ I б = 30 мкА

Iб, мkA

∆ U кэ = 0 .2 ⋅ U кэ = 1В

Iк, мA

200 P

150

∆Uбэ

100 50

0

∆Iб

160

320

14

250

12 10 8 6 4 2

Uбэ, мВ

∆Ik

∆I

0

2

4

6

8

10

*

200 k

165 150 135 ∆Iб 100 50 Iб=0 12 Uкэ,В

∆Ukэ

Рисунок Б1 – Точки О и Р Треугольники, соответствующие выбранным приращениям на рисунке Б1, заштрихованы. Однако из-за малого наклона выходных характеристик транзистора в заданной рабочей точке целесообразно увеличить приращение ∆Uкэ. Это позволит точнее определить приращение тока Отсюда имеем:

h 11э

∆U кэ = ∆I б

U КЭ =const

h21э

∆I =β = к ∆I б

h 22 э

∆I ' к = ∆U кэ

(360 − 340) ⋅10 −3 = 30 ⋅10 −6

U КЭ =const

I 6 =const

U КЭ =5 В

(7.6 − 5.8) ⋅10 −3 = 30 ⋅10 −6

(6.9 − 6.2) ⋅10 −3 = 9.4 − 2.7

= 0.7кОм

U КЭ =5 В

I 6 =150 мкА

= 60

= 1 ⋅10 − 4

1 Ом

Заключение Значительное изменение во многих областях науки и техники обусловлены развитием электроники. Причем тенденция развития такова, что доля электронных информационных устройств и устройств автоматики непрерывно увеличивается. Это является результатом развития интегральной технологии, внедрение которой позволило наладить массовый выпуск дешевых, высококачественных, не требующих специальной настройки и наладки микроэлектронных функциональных узлов различного назначения, основой которых являются такие элементы электроники как полупроводниковые приборы. При разработке разделов 1, 2, 3 были использованы источники /1/, /2/, /3/, /4/, /6/. При разработке разделов 4, 5 были использованы источники /2/, /3/, /4/, /5/. При разработке раздела 6 были использованы источники /4/, /5/,/6/, /7/.

Список использованных источников 1) А. К. Криштафович, В. В. Трифонюк. Учебник для техникума “Основы промышленной электроники” М. высш. шк. 1985 г.-340 с. 2) Д. В. Игумнов, Г. В. Королев, И. С. Громов “Основы микроэлектроники”. Р. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов “ Справочник радиолюбителя” КИЕВ Наукова Думка 1989 г.-500с. 3) Пасынков В. В. и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Высш. шк., 1966 г.-475 с. 4) Гершунский Б. С. Основы электроники.- Киев, 1977 г.-430 с. 5. Бикулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов.М.: Радио и связь, 1990 г.-335 с. 6) Тутов Н. М. и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Энергоатомиздат, 1990 г.-348 с. 7) Батушев В. А. Электронные приборы .- М.: Высш. шк., 1969 г.-487 с. 8) Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов.- М.: Высш. шк.., 1991 г.-450 с. 9) Жеребцов И. П. Основы электроники. - М.: Высш.шк., 1979 г.-390 с. 10) Справочная книга радиолюбителя – конструктора. Под ред. Н. И. Чистякова -М.:“ Радио и связь” 1990 г.