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0,6 bemessen. Die integrierten Freilaufdioden haben eine bis zu 50 % geringere Strombelastbarkeit als die parallelen Transistoren. Für höhere Diodenströme, wie sie z. B. in Pulsgleichrichtern auftreten können, muss daher häufig ein Modul mit einer höheren Stromtragfähigkeit gewählt werden [18]. UUo
-
-
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V
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UUO,l
V
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Freilaufdiode 04 ist stromfiihreod
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V
_ _ L-L-L-'---'--
cp Abbildung 4-66 Belastung des Schalters Tl mit Diode D4 im Pulsbetrieb
..-
,/
L
,/
rot
4.6 Aufbau- und Verbindungstechnik
4.6
75
Autbau- und Verbindungstechnik
4.6.1
Problematik
Der Betrieb eines Leistungsbauelements führt zu Verlusten. Diese Verluste berechnen sich nach Kap. 4.1.3 fiir einen Transistor im Scbalterbetrieb zu: (4-19) Geht man beispielhaft von einer Anwendung aus, bei der ein IGBT bei einer Betriebsspannung von Ud = 600V einen Strom von Ic = 50A mit einer Frequenzfs = 5kHz bei einem Tastgrad D = 0,5 schaltet, so erhält man bei einem Durchlass-Spannungsabfall (UCE,s.J von 2,4 V, einer Einschaltverlust-Arbeit (WOI,) von 6,4 mWs und einer Ausschaltverlust-Arbeit (WoID von 6,2 mWs eine Verlustleistung von Pv = 124 W. Die gesteuerte Leistung beträgt in diesem Fall 30 kW. Für die Ermittlung des Wirkungsgrades T] ist die parallele Freilaufdiode zusätzlich zu berücksichtigen, dennoch bleibt es bei einer Größenordnung für T] von ca. 98 %. Allerdings sind die 124 W Verlustleistung aus einem IGBT-Chip der Fläche von ca. I cm2 abzuführen. Der Wärmefluss beträgt damit 124 W/crn2 bzw. 1,24 MW/m2 • Bei voller Ausnutzung des IGBTs z. B. mit Wasserkühlung kann der Wärmefluss noch 2-3 mal so groß werden. Was dieser Wärmefluss bedeutet, kann man der Übersicht nach Abb. 4-67 entnehmen [28].
r :§ ~
10·
l
107
J
10·
~
~
0
(H.rdPI~D
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[ Sonne
Leistungshalbleiter Chip
10'
~
AbblldungU7 Wärmefluss unterschiedlicher
~
Wärmequellen
~nd:'~
....r' Logik ChiP]
10'
lGIÜhbime(1~
10'
LMenschf
.0
102 10
100
1000 Temperatur in K
-
10000
Der Wärmefluss in einem IGBT liegt somit um eine Zehnerpotenz über dem einer Herdplatte. Die Aufbau und Verhindungstechnik von Leistungshalhleitern muss für dieses Bauelement eine ausreichende Wärmeleitfahigkeit sichem, um den inneren Temperatnranstieg zu begrenzen (siehe Kapitel 6). Weitere Aufgahen der Aufbau- und Verbindungstechnik sind die SichersteIlung
> > >
einer hohen Zuverlässigkeit (Lastwechselfestigkeit) einer hohen elektrischen LeitIahigkeit einer hohen dieelektrischen Isolationsfestigkeit
76
4 Transistoren
4.6.2
4.6.2.1
Gehäuseformen
Diskrete Bauelemente
Im Bereich kleiner Leistungen sind diskrete Bauelemente vorherrschend. Diese Bauelemente werden aufbeschichtcte LeitcIplatten (Printed Circuit Boards, PCBs) aufgelötet. Die Anforderungen an die abzuführende K:iihlleistung ist im Allgemeinen gering. In den meisten Fällen liegt keine innere Isolation vor. Am meisten verbreitet ist die TO-FamiHe (Abb. 4-68). AbbOdDDg 4-68 TO 220 Gehäuse Der diskrete Aufbau, in dem. im Allgemcin.en nur ein einzelner Leistungsschalter integriert ist, muss folgenden Funktionen genügen,
> > >
Zuführung von Laststrom + Steuersignalen Abführung der WiIme Kapselung des Halbleiters gegen Umgebungseinflüsse
Ebenfalls diskret aufgebaut sind die Seheibenzellen, sie kommen im Leistungsbereich, der von Modulen noch nicht erreicht wird, zum Einsatz. Schcibenze11en. vcd:ügen. über keine innere Isolation und ermöglichen eine beidseitige Wärmeabfuhr. Im Höchstleistungsbereich wird ein (Thyristor- oder Dioden-) Chip aus einem Wafer gefertigt, der Chip ist rund und die ScheJ.benzelle die geeignete Bauform. Abb. 4-69 zeigt als Beispiel im Schnittbild den Aufbau sowie die Gehäuseansicht einer Thyristor-Scheibenzelle. Silizium Bauelement
Kathoden-
Abbßdung 4-69
Drucksüick
SchcJ.'bcnzellc
Schnittbild: Au1bau eines SchcJ.benthyristors Keramik-
Druckstllck
Gehäuse
Kathoden-
Beiapiel: Thyristor SKT 2400 (1600 V /2400 A)
Ga"
Somäron
----=
-
77
4.6 Aufbau- und Verbindungstechnik:
Zur Homogenisierung des Drucks und zur besseren Anpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten ist das Silizium-Bauelement in Abb. 4-69 (Schnittbild) zwischen zwei Molybdän-Sche1'ben eingelegt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurden Zentriereinrichtungen sowie die Gate-Kontaktierung, die durch eine Aussparung im Kathoden-Druckstiick über eine Feder in die Mitte des Bauelements geführt wird. nicht dargestellt. Erst nach Verschweißen der beiden Verschlussbleche ist das Gehäuse hermetisch dicht verschlossen. Der elektrische und thermische Kontakt zur Anode und Kathode ist erst hergestellt, wenn das Gehäuse einem. definierten Druck ausgesetzt wird (ca. 10-20 Nlmm2 ). Vergleichbare Lösungen stehen auch als Scheiben-lOBT&, die als ,,Press Pack-IGBTs" bezeichnet werden, zur Verfügung. Bei den Press Pack-IGBTs besteht eine Schwierigkeit darin, dass IGBTs nicht in der Größe wie bei Thyristoren üblich gefertigt werden können (vgl. Kapitel 4.3.1). So müssen in der ScheibenzeIle mehrere (bis zu 42) IGBT-Chips über Federlrontakte parallel geschaltet werden. Press PackIGBTs haben daher einen komplizierteren mechanischen Aufbau als Schet'benthyristoren.
4.6.2.2
IGBT-Leistungsmodule
Leistungsmodule enthalten in einem Gehäuse auf einer gemeinsamen (2-3 mm. dicken) Cu-Bodenfläche mehrere, von der Montagefläche (Kühlkörper) elektrisch isolierte Leistungshalbleiter. Dies können MOSFET -, IGBT- oder Dioden-Chips sein. Diese Chips sind im Allgemeinen rückseitig auf die meta1lisierte Oberfläche eines lsoliersubstrates gelötet Die aufgelöteten Chips werden mit den strukturierten Bereichen durch dünne Al-Bonddrähte verbunden (gebondet). Als Ausführungs-Beispiel zeigen die Abb. 4-70 und 4-71 den Aufbau eines Halbbriickenmoduls. Halbriickenmodule werden für Leistungen ab ca. 15 kW eingesetzt und sind Grundbausteine für Chopper- und Wechselrichterschaltungen, wie sie in den folgenden Kapiteln behandelt werden.
Abbildung 4-70 lOBT-Halbbriickenmodul SEMITRANS® 3 in o:ffcncr DlIIStellung Durch die offene GehäuseDarstellung ist der typische Aufbau eines lOBT-Mo-
duls zu erkennen. Die internen Verbindungen erfolgen 1iber Al-Bonddrähte. Die Chips sind von der Bodcnplattc elektrisch isoliert.
MItfreundlicher Genehmigungvon SEMIKRON
78
4 Transistoren
AbbOdung ....71
IGBT-HaIbbriiclcemnodul Schaltung und Anschlussbczeiclmungcn
Im unteren Leistungsbereich (bis ca. 2 kW) werden zunehmend so genannte ,,Intelligent Power Module" (!PM) eingesetzt. Darin sind vollständige Wechselrich.terschaltungen mit integrierten
Schutz- und Gate-Ansteuerbaugruppen zusammengefasst. Im mittleren Leistungsbereich (2 kW bis ca. 15 kW) setzten sich zunehmend "Converter-Inverter-Brake" (Crn) -Module durch. In diesen Modulen sind alle Leistungsschalter eines Umrichters vereint. Die Gate-Ansteuerung erfolgt im Allgemeinen extern. In dieser Leistungsklasse lassen sich auch vorteilhaft ModulAustührungen mit Feder-Druckkontakten sowohl für die Leis:tungsanschlüsse als auch für die Ansteuerung realisieren. Ein Beispiel (',MiniSKiiP"-IPM der Firma Semikron mit integrierter Gatc-Anstcuerschaltung) ist in Abb. 4-72 dargestellt. Derartige Module bieten eine äuBerst flexible Aufbau- und Verbindungstechnik. Der Kontaktdruck wird durch eine zentrale Montageschraubc sichergestellt und bietet die Sicherheit einer normalen Schraubverbindung [18]. AbblldUDg ....12
lOBT-Leistungsmodul (lPM) Minisl(ijp® mit DruckIrontokten
» Hohe Wcchsellastfestigkeit » Integrierte Treiberschaltung » Kontaktbelastbtukeit bis zu 20 A (panille1schaJ.tung möglich)
» MiIrimalc interne Verdrahtung durch frei positionicIberc Federlrontakt:c.
Mit.freundlicher Genehmigung von SEMIKRON
4.6.3
Eig....chaf!en von Lelstungsmodulen
4.6.3.1
Lastwechselfestigkeit
Aus Lastwcchseln mit Frequenzen unter etwa 3 Hz und vor allem bei intermittierendem Betrieb, wie er z. B. in Traktions-, AufZugs-, Windenergie- und Impulsanwendungen vorherrscht, resultiert eine Temperaturwechselbclastung der modulintcrnen Verbindungen, d. h. der • • •
•
Bondverbindungen, R:ückseiten1ötung der Chips, Lötung DCBIBodenplattc, SubstratIaminierung.
79
4.6 Autbau- und Verbindungstechnik
Die thennische Belastung kann mit dem Wärmefluss beschrieben werden. Ein Beispiel für den Wärmefluss über die modulinternen Verbindungen zeigt Abb. 4-73. IGBT Bond-Draht
Diode
Kupfer
LOtzinn Keramik _ ..........,..--,
LOtzinn
---1--<
-Ce.
Wärmeleitpaste
Parasitäre
Kapazität
Wännefluss
AbbUdung 4-73 Schnittbild durch die modulinternen Verbindungen
Die unterschiedlichen LängenausdehnungskoeffIZienten der einzelnen Schichten verursachen thermische Verspannungen während der Fertigung und dem Betrieb, die letztlich zu Materialermüdung und Verschleiß führen. Die Lebensdauer ist über die Anzahl der über den Lastwechsel hervorgerufenen Temperaturzyklen entsprechend Abb. 4-74b definiert und fällt nach Abb. 4-74a mit steigender Amplitude der Chiptemperaturschwankungen toll. Bei Fahrzeugen im Nahverkehr (z. B. V-Bahnen) treten während der Fahrzeug-Einsatzzeit 106bis 107 Lastwechsel im Temperaturbereich 15 K< toll < 40 K auf. Speziell für Traktionsanwendungen mussten deshalb "traktionsfeste IGBTs" entwickelt werden, bei denen durch Optimierung der verwendeten Materialien (gleiche Wärmeausdehnung) in Verbindung mit angepassten Leistungsmerkmalen (Spannungs- und Strombeanspruchung) eine ausreichende Zyklenfestigkeit erreicht wurde. Die weitere Verbesserung der Lastwechselfestigkeit von IGBTs z. B für den Einsatz bei regenerativen Energiequellen, insbesondere bei Wind-Generatoren, ist Gegenstand vieler aktueller Entwicklungsarbeiten.
a)
b)
10'
9
110' ij
Temperaturzyldus
lO'
~ 10'
N
10' 10'
0
25
50
100 to1'l/K
150
--
AbbUdung 4-74 Temperaturzyklus Die Lebensdauer eines IGBT ist über die Anzahl der lastbedingten Temperaturzyklen definiert. a) Typischer Lebensdauerverlauf eines IGBT bei intermittierendem Betrieb b) Temperaturverlaufbei intermittierendem Betrieb und konatanter Temperatur des Küh1mediuma
80
4 Transistoren
4.6.3.2
Verhalten bei Moduldefekt
Der Ausfall eines gebondeten IGBT hat im Allgemeinen ein Durchschmelzen der Bonddrähte zur Folge. Die internen Anschlüsse sind dann offen, der Stromkreis unterbrochen. Beim Durchschmelzen der Bonddrähte entsteht durch den Lichtbogen ein Überdruck im Gehäuse, der ungefährlich abgebaut werden muss, z. B. durch SollbruchsteIlen. Das Öffnen der Kontakte im Fehlerfall ist bei einer Transistor-Reihenschaltong häufig unerwünscht. Nicht nur fiir HGÜ-Anwendungen werden daher zur Vermeidung der Bonddrähte IGBTs in Scheibenbauweise eingesetzt, wie sie auch bei anderen Leistongsbauelementen (Thyristoren, Dioden) üblich sind. Die Kontaktierung erfolgt bei dieser Bauform über Druckkontakte, die im Fehlerfall einen Kurzschluss des defekten IGBT sicherstellen. Siehe auch [7, 18, 28].
4.6.3.3
Parasitäre Induktivitäten Abbildung 4-75
Halbbrückenmodul mit parasitären Induktivitäten L p Die modulintemen Induktivitäten summieren sich E1C2
aufbis zu 50 nH für ein HalbbfÜckenmodul. Daraus
resultieren Schaltüberspannungen, die den zulässigen Abschaltstrom begrenzen. Pauschal: 10 nnn Draht entsprochen 10 nH
Abb. 4-75 zeigt am Beispiel eines Halbbrückenmoduls die wichtigsten modulinternen, parasitären Induktivitäten Lp. Sie sind unvermeidlich und eine Folge modulinterner Verbindungen (Näherungsweise kann man pro cm Leitung von einer Induktivität von 10 nH ausgehen). Bei hohen Stromsteilheiten erzeugen diese Induktivitäten hohe Überspannungen und begrenzen somit die nutzbare Abschaltleistong des IGBT. Eine weitere Folge der internen Induktivitäten macht sich bei einer internen Parallelschaltong von Chips bemerkbar durch
> > 4.6.3.4
unsymmetrische dynamische Stromaufteilung und Schwingneigung.
EMV-Verhalten
Ein spezielles Problem entsteht durch die Kapazität Chip-Kühlkörper CCK (siehe Abb. 4-73). Hohe Spannungssteilheiten beim Schalten von MOSFETs oder IGBTs fiihren dadurch zu Verschiebungsströmen über den im Allgemeinen geerdeten Kühlkörper. Die Folge ist ein asymmetrischer Störstrom (vgl. Kapitel 17.2), der als Erdstrom zum Ansprechen von Netzüberwachungsgeräten fiihren kann. Die Einhaltong eines oberen Grenzwertes fiir diesen Erdstrom von ca. 1 % des Ausgangsstromes wird zukünftig daher zwingend (EN 50178). Stellgtößen sind die Substratkapazität (Isoliersubstrat), die zulässige Schaltgeschwindigkeit und die Betriebsspannung. Darüber hinaus muss auch die modulinterne Verdrahtong emv-gerecht ausgeführt sein, so dass Fehlfunktionen durch äußere Streufelder oder transformatorische Einkopplungen ausgeschlossen sind.
81
5 Thyristoren Thyristoren sind einschaltbare Bauelemente mit dem Haupteinsatzgebiet fiir Netzanwendungen. Derzeit existieren noch eine Vielzahl von Thyristorvarianten als so genannte schnelle Thyristoren in der Umrichtertechnik mit den Ablegern "asymmetrischer Thyristor (ASCR) und den "Gate-abschaltunterstützten Thyristor" (GATT). Für Neuanwendungen spielen diese Bauteile keine Rolle mehr. Auch in seinern klassischen Einsatzgebiet der Gleichstromantriebstechnik verzeichnet der Thyristor einen stetigen Bedarfsrückgang. Die Gleichstromantriebstechnik wird zunehmend durcb die Drehstromantriebstechnik abgelöst. Dort kommen aber abschaltbare Leistungsbauelemente zum Einsatz. Für die klassischen Einsatzgebiete mit Anschlussspannungen bis 660 V und den Sperrspannungsbereichen bis 1800 V werden deshalb keine Entwicklungen mehr betrieben. Im Gegensatz dazu wird die Entwicklung im Höchstleistungsbereich weiter vorangetrieben. Neben lichtzündbaren Thyristoren mit integrierter BOD-Notzündung ist die Entwicklung von Höchstleistungsthyristoren mit Sperrspannungen bis 10 kV absehbar. Typische Anwendungen hierfiir sind HGÜ-Anlagen, Netzkupplungen, Ersatz fiir mechanische Mittelspannungsschalter und Sanftanlaufschaltungen fiir Drehstrommotoren sowie Stromrichtermotoren fiir höchste Leistungen.
5.1
Aufbau und Wirkungsweise AnodeA iA
A ~
UAK
Gate G
G
P
n
n
P
P
A ~
n G
n
G
P
n K
io
A
P
K
K
ThyristorSymbol
~ KathodeK Abblldung 5-1 Trsosistonnodell eines Thyristor, Struktur uod Symbol Beim Anlegen einer positiven Ventilspannung uAK an das Transistormodell nach Abb. 5-1 fließt bei offenem Basisanschluss in beiden Transistoren ein geringer Kollektorstrom. Aufgrund der Verschaltung beider Transistoren stellt sich dadurch in den Transistoren ein Basisstrom 1B ein. Dieser Basisstrom hat durch die Stromverstärkuog B einen Anstieg des Kollektorstromes zur Folge (Mitkopplungsejfekt). Die Stromverstärkuog B der Transistoren ändert sich mit dem Kollektorstrom. Solange die Gesamt-Stromverstärkuog dieser Schaltung, die durch J. Specovius, Grundkurs Leistungselektronik, DOI 10.1007/978-3-8348-8270-7_5, © Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 2011
82
5 Thyristoren
das Produkt der S1romverstärkungen Bl·B2 gegeben ist (s. Darlington-Transistor), unter lliegen, führt dieser Effekt nur zu einem erhöhten Kollektorstrom. Wenn die Gesamt-Stromverstärkung durch den Anstieg des Kollektorstrornes aber größer als I wird, steigt der Kollektorstrom auch ohne äußere Spannungserhöhung weiter an und der Thyristor kippt in den Lcitzustand. Die Spannung, bei der dieses Kippen in den Leitzustand bei offenem Basisanschluss erfolgt, wird Nullkippspannung UBo genannt. Betriebsmäßig wird der Thyristor über einen Gatestromimpuls eingeschaltet. Ein ausreichender Gatestrom kann im. Blockierzustand den Mitkopplungseffekt im Thyristor einleiten.
Die Entwicklung des Thyristors für große Schaltleistungen in Scheibenbauweise zeigt Abb. 52. Zur Entwicklung eines Scheibenthyristors wird die Gateelckt:rode G zunächst nach oben verlegt (Abb. 5-2b). Die Kathode wird ringförmig um den Gateansehluss gelegt, und man erhält die Scheibenbaufonn nach Abb. 5-2c. Den typischen Aufbau eioes Thyristors in Scheibenbauweise (siehe auch Kapitel 4.6) zeigt Abb. 5-3.
KI
G
G
0'
-
a)
1 KI
G
I
0'
p
p
K 0'
0'
p
O'
O'
O'
p
p
p
IA
b)
IA
IA
c)
Abbildung 5-2 Entwicklung des Scheiben.thyristors Durch die scheibenfönnige Bauweise ist eine doppelseitige Abführung der Verlustleistung gewährleistet. Die Anschlüsse erfolgen über Druckkontakte.
;.:~
I
\
,
~ ~
~--~
.
Gate
I
AbbUdoog 5-3 Thyristor in Scheibenbauweise (eupec) und Draufsicht auf einen Siliziumchip
5.3 Das Einschaltverhalten
5.2
83
Kennlinie
Das elektrische Verhalten eines Thyristors in Durchlass- und Sperrrichtung wird durch Kennlinien nach Abb. 5-4 dargestellt. Die Durchlassrichtung wird durch die Bloclder- bzw. Durchlasskennlinie (Kennlinien UU-iD bzw. uy-iT» beschrieben. Ist die Nullkippspannung UBO gleich der Sperrspannung UBR> so wird der Thyristor symmetrisch genannt, ist UBO größer als UBR> so handelt es sich um einen asymmetrischen Thyristor.
t
100 A 10_
Durchlasskennlinie (UT-iT,on-state)
1-
t
(reverse
iD
breakdown) UBR
?
,4 V 100 --r---'----'-----'--mA Blockierkennlinie (uo-in. off,tate)
I
50 - .:.. ___ j. ___ Ji,,-~'!!.~~,!,.(!~!},ing current)
Haltestrom
(holding current)
I I
UBO
- 50
Sperrkennlinie (uR-iRl
mA
(forward breakover voltage)
Abblldnng 5-4 Kennlinie eines symmetrischen Thyristor für iG ~ 0
5.3
Das Einschaltverhalten
Das Einschalten eines Thyristors ist nur aus dem Blockierzustand (UAK > 0) heraus möglich. Der Einschaltvorgang kann durch unterschiedliche Mechanismen ausgelöst werden.
5.3.1
Überschreiten der zulässigen Blockierspannung
Die Ausbreitung der Raumladungszone des mittleren pu-Überganges (Abb. 5-5) fiibrt bei zunehmender Blockierspannung zu einem Anstieg der Stromverstärkung (Early-Effekt). Überscbreitet die Stromverstärkung den Wert eins, so zündet der Thyristor selbsttätig. Dieser Einschaltvorgang ist verboten, da durch mögliche hohe Stromdichten das Bautei! gefährdet wird.
ʧ
ʒ
ʧ
Ĺ
85
5.3 Das Einschaltverhalten
-t uD
u DM
~
tgd
100%+-.....,----,
tg,
~:
=-.J.., t
idealisiert t Abblldong 5-7 Einschaltvorgang, Strom- und Spannungsverhältnisse
Bereits leitendes Gehiet
Kathode
Ausbreitung des Leitzustandes mit ca. 0, I mm / I's
Gate
(noch) blockierendes Gebiet
Abblldong 5-8 Silizium-Tablette unmittelbar nach der Durchschaltzei! tg>" (Draufsich!)
Um die Steilheit des Ventilstromes beim DurchschaItvorgang zu begreuzen, wird eine sättigbare Drossel, die als Stufen- bzw. Schaltdrossel bezeichuet wird, eingesetzt. Diese Schaltdrossel wird durch einen oder mehrere Ferritkerne realisiert, die über die Thyristorzuleitung geschoben werden. Aufgrund der Ummagnetisierungsverluste erzeugen diese Kerne eine Verlustleistung, die zusätzlich abgefiihrt werden muss. Der Halt.strom I H ist der Durchlassstrom, der mindestens fließen muss, um die innere Mitkopplung des Thyristors aufrecht zu erhalten (typisch: I H < 400 mAl. Gatestromimpuls und Eingangskennlinienfeld:
Das p-Ieitende Gebiet mit dem Gateanschluss und das n-Ieitende Gebiet der Kathode bilden einen pn-Übergang. Die Durchlasskennlinie des pn-Überganges bildet die Gate-Eingangskennlinie nach Abb. 5-9. Diese Durchlasskennlinie streut verhältnismäßig stark und ist temperaturabhängig. Innerhalb eines Streubandes der Eingangskermlinien von Thyristoren gibt es nach DIN 41787 drei zu unterscheidende Bereiche:
ĺ ʒ
ʆ
ʛ ʛ
ʜ ʜ
˂
87
5.4 Ausschalten
5.4
Ausschalten
Zum Ausschalten muss der Thyristorstrom kurzzeitig den Haltestrom iH unterschreiten, damit der Mitkopplungseffekt aussetzt. Bei einer Wechselstromanwendung nach Abb. 5-11 wird I H automatisch mit jeder Halbschwingung unterschtitten (Netzfiihrung), bei einer Gleichstromanwendung nach Abb. 5-12 ist wegen der fehlenden Stromnulldurchgänge eine Löscheinrichtong erforderlich (Zwangslöschung).
5.4.1
Netzgeführter Betrieb
Im Abstand ʱ vom natürlichen Nulldurchgang der Netzspannung UN wird ein Gatestromimpuls vom Steuergenerator ausgelöst. Der Thyristor schaltet ein. Bis zum natürlichen Spannungsnulldurchgang leitet der Thyristor weiter. Wird der Haltestrom unterschtitten, so schaltet der Thyristor ab. Weil in der Schaltong nach Abb. 5-11 die Netzspannung UN den AbschaItvorgang auslöst, wird die Schaltong als netzgeführt bezeichnet. ,,natürlicher" Stromnulldurchgang
ʱ
R
ˈ
ʱ Ust
ˀ
AbbUdong 5-11 Thyristnranwendung bei Wechselstrom (netzgeführte Schaltung)
5.4.2
Selbstgeführter Betrieb
Zum Zeitpunkt I1 wird in Abb. 5-12 der Thyristor über einen Gatestromimpuls eingeschaltet. Der Thyristor leitet solange, bis zum Zeitpunkt 12 durch kurzzeitiges Schließen des Schalters S der Thyristorstrom durch die Hilfsspannung UH den Haltestrom unterschreitet und ausschaltet. S _UH _
Uo "erzwungener"
.I
R
'1
" "
AbbUdung 5-12 Thyristoranwendung bei Gleichstrom (selbstgeführte Schaltung)
Strom-
Nulldurchgang
ʆ
ŏ
˂
˂
ė
IJ
ė
ĺ
ŏ
˂
ė ʍ
˂
ʍ
ė
ʇ
ʛ
ė
ʜ ˂
90
5.5
5 Thyristoren
Ausführungsformen
Der bisher betrachtete Thyristor heißt ,,kathodenseitig steuerbare, rückwärtssperrende Thyristortriode" mit der Kurzbezeichnung SCR fiir Silicon ~ontrolled Rectifier. Darüber hinaus gibt es zahlreiche Thyristorvarianten, von denen nachfolgend einige vorgestellt werden. 5.5.1
Amplifying Gate-Struktur
Der Thyristor ist ein stromgesteuertes Bauelement. Damit bei leistongsstarken Thyristoren ein intensiver Steuerstrom in das Gate eingebracht werden kann, wird der Thyristor über einen gateseitigen Hilfsthyristor gezündet. Von außen wird nur der Hilfsthyristor angesteuert. Dadurch lassen sich großflächige Gatestrukturen nach Abb. 5-16 mit einer kurzen Schaltzeit realisieren, und damit im Vergleich zum N etzthyristor auch höhere Schalt:frequenzen.
(······~····1
i~----rr------~----------~
l....._. . .
t
j ,...P
Hilfsthyristor
A
--------------------_."
~
'., ___________ _.l
G
K
Hauptthyristor
Abbildung 5-16 Aufbau eines Thyristors mit Hilfsthyristor (amplifYing gate structore) 5.5.2
Zweirichtungs-Thyristoren
Man unterscheidet bei Zweirichtongs-Thyristoren zwischen einer Thyristordiode (Diac, Vierschichtdiode, ohne Gateanschluss) und einer Thyristortriode (Triac, Triode alternating current switch, mit Gateanschluss). Ein Triac verhält sich so wie eine aus zwei Thyristoren bestehende Gegenparallelschaltong. Den grundsätzlichen Aufbau und das verwendete Schaltzeichen zeigt Abbildung 5-17 (MT: Main Terminal).
MT1
-0-
p n
G1
P n
~
n p n p
G2
G1
p n
G
P
~
K1
p n
G2
P
MT1
if MT2
~
MT2
Symbol
Abbildung 5-17 Struktur und Symbol eines Triac Die Triac-Struktur besteht aus zwei antiparallel geschalteten pnpn-Schichtfolgen. Die Hauptanschlüsse (Main Terrnina1) werden mit MTl und MT2 bezeichnet. Zur Zündung wird zwischen Gate (G) und MTl eine Steuerspannung gelegt, wodurch das Element in beiden Richtongen durchgeschaltet wird. Für den praktischen Einsatz ist von Bedeutong, dass die nach dem Stromnulldurchgang am Triac auftretende Spannung nur mit begrenzter Steilheit ansteigen darf. Durch eine geringe Steilheit beim Stromnulldurchgang erhalten Löcher und Elektro-
5.6 Absehaltba= 1'hyristm (GTO)
91
nen mehr Zeit für eine Rekombination, wodmch die duldt-Fcsti.gkcit vergrößert werden kann. Die kritische Spannungssteilheit nach der Kommutierung (duldt-Festigkeit) ist deutlich niedriger als bei einem Thyristor. Wegen der geringen Spannungs- und Stromsteilheiten und der geringen Materialausnutzung eignet sich ein Triac nur für kleine bis mittlere Leistungen, so dass dieses Bauelement nur:in Sonderfällen eine Bedeutung erlangt hat Für höhere Leistungen werden antipara1lclgeschaltete Thyristoren (bidirectional control thyristors) verwendet.
5.5.3
Der asymmetrisch sperrende Thyristor
PUr Schaltungen, in denen Thyristoren eine geringe SpaDD.lmgsfestigkeit in Rückwärtsrichtung aufweisen müssen, wurden Thyristoren mit einer asymmetrischen Kennlinie entwickelt. Diese Thyristoren werden als asymmetrisch sperrende Thyristoren (ASCR, Asymmetrie Silicon Controlted Rectifier) bezeichnet. Der asymmetrisch sperrende Thyristor hat gegenüber dem symmetrisch sperrenden Thyristor eine 2- bis 3-mal kl.eincre Freiwerdczeit und geringere Einschalt- und Durchlassverluste. Durch Integration einer antiparallelen Diode in den Thyristor erhält man den rückwärtsleitenden Thyristor (RCf. Reverse Conducting Thyristor).
5.5.4
Der liehtzündbare Thyristor
Speziell in der HGü-Technik werden lichtzündbare Thyristoren eingesetzt. Bei 8 kV Span-
nungsfestigkcit erfolgt die Ansteuerung potenzi.al:frei über Lichtleiter. Die Zündung kann direkt über die Lichtenergie erfolgen (optische Zündung, 40 mW-Laser mit Lichtwe11en1eiter) oder indirekt über eine optische Signalübertragung mit Zündverstirm.
5.6
Abschaltbarer Thyristor (GTO)
Der gateseitig abschaltbare Thyristor (Gato-Turn-Off Thyristor, GTO) ist eine Weiterentwick-
-
lung des einschaltbaren Thyristors.
Kathode - ringförmiger Druckkontakt im
_----1----,.. ...----1---"'utJ'
n+
p - +
I~
--J---,..
""
~
n
p' Aufbau
I-de
Symbol
Abbildung 5-18 Aufbau und Symbol cines GTO-Thyristors
5.6.1
Der asymmetrisch sperrende GTO
Der asymmetrisch sperrende GTO besitzt in positiver Richtung volle Sperrlähigkeit, in negativer Richtung jedoch nur eine geringe Sperrfähigk:eit Die asymmetrische Kennlinie wird durch
92
5 Thyristoren Gate
Kathode
n'
---1---
---±--
I
n'
p
I
n'
I
----- -----
n'
Abbildung 5-19 Aufbau eines GTO-Thyristors mit Anoden-Kurzscblussstruktur
(Shortings)
n
• I n • I n I. I nl. I n I. I nl. I n I. I n I •
I Anode Anodenkurzschlüsse (Shorting) erreicht (Abb. 5-19). Durch diese Maßnahme wird die Temperaturempfndlichkeit der Kippspannung sowie das AbschaItverhalten des GTO verbessert. 5,6,2
5.6.2.1
Ansteuerung Einschalten
Das Einschalten erfolgt wie beim konventionellen Thyristor entsprechend Abb. 5-9 mit einem steilen Gatestromirnpuls diGwdt. Der Scheitelwert 1GM muss mindestens dem 6-fachen Wert des Dauerimpulsstromes I G entsprechen. Anforderungen an den Steuergenerator sind temperatorabhängig, so beträgt der Einschaltstrom für einen GTO mit 3 A I GT (bei 20 oe) I GM 20 A (bei -25 oe) bzw. 60 A (bei -40 oe).
5.6.2.2
Ausschalten
Der GTO schaltet bei einem ausreichend hohen negativen Gatestrom aus. Die Amplitode des Gatestromes muss bis 30 % des abzuschalteuden GTO-Stromes betragen. Der Abschaltvorgang wird vereinfachend mit Abb. 5-20 erläutert. Zum Ausschalteu wird der Schalter S geschlossen. Durch die Hilfsspannung Uo (20 V) wird die Gate-Kathoden-Strecke im Durchbruch betrieben, und es setzt ein rückwärtsgerichteter Gatestrom iRG ein. Die Steilheit von iRG ist durch die Spannung Uo und die gateseitige Induktivität LG bestimmt (L G < 300 nH). Abbildung 5-20
A
('------------------------------------\
s
iG
G i i,
'-._----------------------------
K
Ersatzschaltbild zum
i
AbschaItvorgang eines GTO-Thyristors
T,i
LG: Induktivität der Gatezuleitung
,l
--_./
Uo: Hilfsspannung
Die Stromsteilheit des Gatestromes beträgt bei einer GTO-Ansteuerschaltung bis zu 50 AlIlS. Durch die einsetzende Sperrung der Kathoden-Gate-Strecke erreicht iRG in Abb. 5-21 seinen Höchstwert iRGM und fällt anschließend wieder auf Null ab. Das Verhältnis des abzuschaltenden Stromes iT zum Maximalwert des Steuerstromes iRGM wird als Abschaltverstärkung vQ bezeichnet. vQ liegt bei einem GTO zwischen 3 und 5, so dass zum Abschalten eines Gleichstromes von z. B. 3000 A ein iRGM von 1000 A erforderlich ist
IJ
Cĺ
I TQM ʛ
du ʜ d t kritisch
und R Ĺ
t min 4C
94
5 Thyristoren
Die Kapazität des Kondensators C wird durch den GTO-Abschaltstrom (hQw und den kritischen duldt-Wert definiert. Voraussetzung ist, dass der Kondensator zu Beginn des Abschaltvorganges entladen ist, weshalb eine Mindesteinschaltzeit Imin des Thyristors eingehalten werden muss, in der sich Cüber den WiderstandR entlädt Für Rund C gilt GI. (5.1). D
R
Abblldung 5-22
GTO
antiparallele Diode
RCD-Beschaltung C gegen Übersp~
Beschaltungsmaßnahmen fiir einen GTO
Die Stromsteilbeit wird mit Rücksicht auf die
RL L
Dr.
5.6.4
Begrenzung der Stromsteilheit mit Freilaufzweig
antipara1lele Diode begrenzt.
IGCT
Der ,,Integratet Gate-Commutated Thyristor" (IGCT) stellt hinsichtlich der Schaltleistung und -Geschwindigkeit eine Weiterentwicklung des GTO dar. Er wird hauptsächlich für MitteIspannungsumrichter eingesetzt. Leistungshaibleiter und Ansteuereinheit sind induktivitätsarm zu einer baulichen Einheit zusammengefasst, wodurch der Gatestrom (die Abschaltverstärkung beträgt I) mit einer höheren Steilheit als beim GTO bereitgestellt werden kann. Die Folge ist eine Reduktion der Speicherzeit, die zusätzlich eine Optimierung der Siliziumdicke ermöglichte. Durch diese baulichen Änderungen hat der IGCT deutlich verminderte Durchlass- und Schaltverluste. Beim IGCT konnte so das Schaltverhalten eines Transistors mit dem Durchlassverhalten eines Thyristors kombiniert werden. In dieser Hinsicht - und auch der Robustheit - hat der IGCT heute noch Vorteile gegenüber dem IGBT (Vergleichsdaten siehe Kapitel 5.7). Die Schaltfrequenz des IGCT liegt bei max. 1000 Hz, Kommutierungen verlaufen mit Stromstei\heiten bis über 1200 NIlS.
5.7
Auswahl von Leistungsbauelementen
Die aufgefiihrten Grenzdaten gelten für aktuell verfügbare Bauelemente und zeigen teilweise eine Typen-Spezialisierung für Hoch- Niederspannungsanwendungen. Die in Tab. 5.1 aufgefiihrten Daten sind zudem anwendungsspezifisch und daher als Anhaltswerte zu verstehen. Tabelle 5.1 Auswahl an Bauelement-Grenzwerten (stand: 2007)
Typ MOSFET IGBT BT
UN
IDclA
toff/PS
Typ
UN
ITQWA
IAV/A
toff/PS
800
25
0,15
GTO
4500
4000
1000
100
100
300
0,7
IGCT
4500
4000
2100
11
6500
600
1-4
Thyristor
8500
2400
1200
300
15-25
Diode
5000
550
480
5-10
SiC-Diode
1200
-
-
3800 20
I A v: Mittelwert (AV), ITQM: maxima1 abscbaltbarer Strom, I De: Gleichstrom (continous)
95
6 Wärme-Management 6.1
Die Verlustleistung
Die Verlustleistung (power dissipation) von Halbleiterbauelementen entsteht im Wesentlichen im Bereich der pn-Übergänge. Dem Bautei! wird daher von der Sperrschicht eine Momentanleistung Pv = u'i
(6-1)
zugeführt. Die im Bauelement umgesetzte Energie, die Wärmemenge Q, berechnet sich durch Integration der Momentanleistungpy nach GI. (6-2) . Wännemenge
Q=
fo• p(t)dt
(6-2)
in Ws
Das Bauteil reagiert auf die zugeführte Wännemenge Q mit einem Temperaturanstieg. Liegt die Gehäusetemperatur 9 c über der Umgebungstemperatur 9 A, so erfolgt entsprechend Abb. 6I eine Wänneübertragung vom Bauteil auf die Umgebung. Die Transportmechanismen sind:
Wärmeübertragung / heat transfer
Mechanismus
Wärmeleitung
Heat conducting
Übertragung kinetischer Energie von Atomen bzw. Elektronen
Kon~ektion
Convection
Materialtransport (Luft)
Wärmestrahlung
Radiation
Strahlung
• • '-
,-
I
..
:'
-')
Abbildung 6-1
Konvektion
Wänneübertragungsmechanismen
Wärmestrahlung
-, I
'-\: ~---1
Bauteil mit Verlustquelle
Pv : Verlustleistung des
Bauelementes
Montageplatte
=~-
Wärmeleitung Die Temperatur steigt solange an, bis sich ein Gleichgewicht zwischen der zugeführten Energie mit der durch Konvektion, Leitung und Strahlung abgeführten Energie einstellt. Dann hat das Bauelement seine stationäre bzw. Beharrungstemperatur erreicht. Bei praktischen AnwenJ. Specovius, Grundkurs Leistungselektronik, DOI 10.1007/978-3-8348-8270-7_6, © Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 2011
96
6 Wärme-Management
dungen sind immer mehrere Komponenten an der Wärmeübertragung beteiligt. Abb. 6-2 zeigt einen solchen Anwendungsfall, bei dem eine Leistungsdiode 0 über eine !solierscheibe ! auf einem Kühlkörper K befestigt ist. Der Kühlkörper stellt den Wärmeübergang zum gasf"örmigen oder flüssigen Kühlmedium A her. Das Kühlmedium wird mit einer konstanten Temperatur, der Umgebungstemperatur (tA, angenommen. Isolierung I
..rr-----, Kühlkfuper
Si1iziumkristall J
K
VerlustleistuDg
.ß-C===:l--_ elektrische Leitungeo
Pv
Kühlmedium
Gehäuse
C-
A
Abbildung 6-2 Diode mit K.üblkörper (Luftkühlung)
Die Bezeichoungen, Kennbuchstaben und Temperaturen der Komponenten sind:
Kennbuch.tabe
Bauteil
Temperatur
J
Siliziumkristall
junction
~
C
Gehäuse
case
(tC
K
Kühlkörper
heatsink (h)
(tK
A
Kühlmedium
Ambient (A)
(tA
Im stationären Betrieb haben alle am Wärmetransport beteiligten Komponenten eine unterschiedliche Temperatur. Die höchste Temperatur stellt sich nach Abb. 6-3 im Siliziumkristall (Sperrschicht 1) ein, dem Ort der Verlustieistungsentstehung. Zur Bemessung des Kühlkörpers ist es erforderlich, den Wärmetransport vom Ort der Verlustleistungsentstehung (1) bis zum Kühlmedium (A) zu beschreiben.
Sperrschicht
Abbildung 6-3 Temperaturgefälle von der Sperrschicht (J) bis zum Kühlmedium (A)
Gehäuse Kühlkörper I Kühlmedium "ÖJ
"Öc
~
t
"ÖA
97
6.2 Das thermische Ersatzschaltbild
6.2
Das thermische Ersatzschaltbild
Ein anscbauliches Hilfsmittel zur Beschreibung des Wärmetransportes ist ein Ersatzschaltbild nach Abb. 6-4, bei dem der Wärmetransport mit Hilfe elektrischer Größen beschrieben wird. Die Umgebungstemperatur ~A wird als Bezugsgröße gewählt und im Ersatzschaltbild durch ein Massezeichen (.1) symbolisiert. , - - - _ . -_ _-1>J /
~
Pv
AbbUdung 64 Thermisches Ersatzschaltbild
Die Verlustleistung Py wird in diesem Ersatzschaltbild als elektrischer Strom eingespeist. Der
Rth,JA
Spannungsabfall über den Widerstand Rth,JA wird als Teruperaturdifferenz ll.& bewertet:
A
A& = Pv . Rth,JA Bezugstemperatur ist &A.
In diesem Ersatzscbaltbild wird dargestellt:
thermische Größe
Einheit
Verlustleistung
elektrische Größe
Py
W
elektrischer Strom I (Stromquelle)
&
oe
elektrisches Potential '"
Temperaturdifferenz
ll.&
K
elektrische Spannung U
thermischer Widerstand
R th
KIW
elektrischer Widerstand R
Wärmekapazität
Cth
Ws/K
Kondensator C
Temperatur
Der Widerstand Rth,JA beschreibt den Wärmetransport von der Sperrschicht (1) zur Umgebung (A). Er setzt sich nach Abb. 6-5 aus dem inneren Wärmewiderstand Rth,JC und einem äußeren Wärmewiderstand Rth,CA zusammen. Die thermischen Widerstände Rth,JC und Rth,CA sind über den Gehäuseanschluss e verbunden. Die Temperaturen &J, &c, und &A sind Absolutwerte und beziehen sich auf 0 oe. In Abb. 6-5 wird &A durch eine Spannungsquelle eingestellt. In einer Simulationsrechnung kann mit dieser Spannungsquelle eine Temperaturänderung des Kühhnediums eingestellt werden. ,----~
Pv
_._._._.._.__._._._._._-_.-
t ll. ~JC -.-.-.-.-.-.-.-.--t ll. ~CK
J Rth,JC
e
Rth,CK K
AbbUdung 6-5
Temperaturen der einzelnen Komponenten in Abb. 6-2
Wärmewiderstäode:
--------
t ll. ~ KA
Rth,KA
Sperrschicht-Gehäuse
Rth,Jc:
Rth,CK: Gehäuse-Kühlkörper
A
Rth,KA:
ooe
Rth,JC
Kühlkörper-Kühhnedium
+ Rth,CK + Rth,KA =
Rth,JA
98
6 Wärme-Management
6.2.1
Der innere Wärmewiderstand Rth,JC
Der innere Wärmewiderstand Rth,JC ist durch das Bauelement selbst gegeben. Eine Beeinflussung ist nur bei der Herstellung des Bauelementes möglich. Zwischen Sperrschicht (J) und Gehäuse (C) tritt eine Temperaturerhöhung Ll.9JC ein, die direkt zur Verlustleistung P y proportional ist. Deshalb wird die zulässige Verlustleistung eines Bauelementes in Datenblättem stets auf eine definierte Gehäusetemperatur &c bezogen.
6.2.2
Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA
Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA setzt sich aus dem Widerstand vom Gehäuse zum Kühlkörper, Rth,CK> und dem Widerstand vom Kühlkörper zum Kühlmedium, Rth,KA zusammen. Für einen optimalen Übergang der Wärme vom Halbleitergehäuse auf den Kühlkörper ist eine möglichst große Kontaktfläche erforderlich. Das Halbleiterelement hat dafiir ein oder zwei Kontaktflächen zum Anschluss des Kühlkörpers. Die Kontaktflächen von Halbleiter und Kühlkörper werden mit hohem Druck verbunden und müssen bei allen Temperaturen absolut eben sein. Zur Vermeidung von Hohlräumen werden die Kontaktflächen zusätzlich mit einer Wärmeleitpaste beschichtet. Weon eine elektrische Isolierung von Kühlkörper und Halbleiter erforderlich ist, wird eine wärmeleitende Isolierscheibe einer speziellen Keramik eingesetzt. Diese Maßnahmen werden im äußeren Wärmewiderstand Rth,CK erfasst. Den Wärmetransport vom Kühlkörper K an das Kühlmedium A beschreibt der Widerstand Rth,KA Das Ersatzschaltbild nach Abb. 6-5 ist fiir den stationären Zustand gültig, d. h. alle Temperaturwerte sind zeitlich konstant. Die Wärme wird mit Hilfe des Kühlkörpers an das Kühlmedium abgegeben. Es wird vorausgesetzt, dass das Kühlmedium selbst nicht erwärmt werden kann, vergleichbar z. B. mit einer unendlich großen Luftmenge der Temperatur 9A. In der Praxis ist dieser Umstand jedoch nicht innner ausreichend gegeben, so dass hier zusätzliche Maßnahmen wie z. B. eine forcierte Belüftung erforderlich werden können.
t F
1,0 0,8
I'..
0,6
.......
0,4 0,2
o
I
Abbildung 1>-6
Reduktionsfaktor F
...........
2
Einfluss der Luftgeschwiodigkeit auf den thennischen Widerstand. 3
4
5
Luftgeschwindigkeit in mls
R thF = F·Rfh
6
7
8
F~l
• (6-3)
Für forcierte Kühlung ist die Oberflächenbeschaffenheit des Kühlers praktisch olme Bedeutung. Im Gegensatz zur reinen Konvektionskühlung, bei der ein bestimmter Rippenabstand nicht unterschritten werden sollte, muss fiir eine forcierte Kühlung eine möglichst große Oberfläche mit entsprechend vielen Rippen vorgesehen werden.
ƗǑ Ɨ ʧ ʧˊ
ŏ
ˊʛtʜ
1 C th
t
ĩ p V d t ʅ ˊ0 0
ˊ0
Anfangswert
Ǒ ˊʛt ʜ
ˊ ˊ
PV R th
ŏʛ1 ė e
ė
t ˃
ʜ ʅ ˊA
˃
R thŏC th thermische Zeitkonstante
ˊ
100
6 Wärme-Management
Eine Simulation der Sperrschichttemperatur unter Berücksichtigung der Wärmekapazität des Kühlkörpers entsprechend Abb. 6-8 zeigt Abb. 6-9 für eine zeitveränderliche Bezugstemperatur 3 A (angenommener Tagesgang der Lufttemperatur) und einer pulsförmig angenommenen Verlustleistung py. J
Pv
Abbildung .8 Berücksichtigung der Wännekspazität
Rth,IC
e
Ersatzschaltbild mit Wännekspazität des C'th,K fiir eine Sinmiation der Sperrschichttemperatur /lJ
KühlkÖIpers Rth,CK
A
Rth,KA
t
~
!9.r
K
ßA
C'th.K
~ !9.rc
t
3
---
1'0
oe 100
'0
0 0
t
---
Abbildung .9 Temperaturverlauf bei pulsierender Verlustleistung Pv und schwankender Umgebungsternperatur /lA (Tagesgang)
6.2.4
Der Wärmewiderstand des Kühlkörpers
Der Kühlkörper ist über die Oberfläche A mit dem gasförmigen (Luft) oder flüssigen (Wasser. Öl) Kühlmedium verbunden. Mit dem Wärmeilbergangskoeffizienten Cl wird bei einer Temperaturdifferenz Aß zwischen Kühlkörper und Kühlmedium in der Zeit t die Wärmemenge Q nach GI. (6-8) an das Kühlmedium übertragen. Wärmemenge
Q
=
Cl·A·A9·t
in Ws
(6-8)
6.2 Das thermische Ersatzschalthild
101
KontaktfIäche A zum Kühlmedi_ durch Rippen und aufgerauhte Oberfläche maximiert
Wärmeübergangskoeffizient CL
zwischen Kühlkörperobert1äche und
Wärmefluss vom Kühlkörper in daa Kühlmcdiwn
Abblldung 6-10
Wärmeübergang vom Kühlkörper in das Köblmedium
Kühlmedium
Kühlmedium konstanter Temperatur ~A nimmt die Wärmemenge Q auf
Wird die übertragene Wärmemenge Q auf die Zeit t bezogen, so erhält man mit GI. (6-9) einen Ausdruck fiir den Wärme strom, der gleich der übertragenen Verlustleistungpy ist. Wärmestrom dQ dt
= Cl.A.~~ =
Py in
W
(6-9)
Mit GI. (6-10) kann der Wärmewiderstand Rth,KA für den Kühlkörper fonnuliert werden: Wärmewiderstand des Küh!körpers
~~ 1 R th,KA - ClA Py
. K m--
W
(6-10)
Rth,KA verhält sich umgekehrt proportional zu der Küh1körperoberfläche A und dem Wärmeübergangskoeffizienten Cl. In Abb. 6-11 sind beispielhaft Kurven fiir Rth,KA in Abhängigkeit
von der Küh1körperoberfläche verschiedener blanker Materialien (Stahl, Kupfer, Aluminium) angegeben. Zusätzlich sind Angaben für verschiedene Materialdicken enthalten. Abblldung 6-11
Wännewiderstand blanker Kühlbleche in senkrechter Anordnung Al 2mm
Der Widerstand Rth,KA sinkt mit zuoehmender Oberfläche A. Wegen der ungönstigen Wänneverteilung inoerhalb des Köh!körpers strebt
4r--~~t-"';:--+--:;;;:;:;:j
2r--t--t-'"......+--:;;;:;:;:j Cu 2mm O L -_ _~_ __ L_ _~~~
o
100
200
300 A
-
~
400
Rth,KA einem Grenzwert zu.
•
Eine weitere Vergrößerung von A ist nur bei einer verbesserten Wännevertei\uog z. B. durch eine größere Blechdicke (hier: 1 mm ~ 2 mm) sinnvoll.
Je dicker das Material ist, desto besser wird die Wärme innerhalb des Küh1körpers verteilt und desto geringer ist der thermische Widerstand. Werden diese Bleche zusätzlich geschwärzt, so verbessert sich die Wärmeabstrahlung und die Rth,KKW erte sinken auf ca. 70 %. In der Praxis besteht bei mehreren Kühlkörpern aber die Gefahr, dass sich die Küh1körper gegenseitig aufheizen [20]. Angaben für Rth,KA beziehen sich im Allgemeinen auf freistehende eloxierte Kühlflächen in senkrechter Ausrichtung mit reiner Konvektionskühlung. Für blanke bzw. unbehandelte Oberflächen liegen die tatsächlichen Werte dann um ca. 15 % höher, bei horizontaler Ausrichtung verschlechtert sichRth,KA um 20 % [Angaben: austerlitz-electronic].
102
6 Wärme-Management
Wird der Wärmestrom nach GI. (6-9) schließlich auf die zur Verfügung stehende Kühlfläche A bezogen, so erhält man mit GI. (6-11) die Wärmestromdichte. Wärmestromdichte
1.. d Q A dt
=
Cl.
~~
in W
(6-11)
m2
Die Wärmestromdichte zeigt die Wirksamkeit eines Kühlverfahrens in Abhängigkeit vom Kühlmedium auf, welches durch den Wärmeübergangskoeffizienten Cl beschrieben wird. Für einen gegebenen Kühlkörper der Temperatur ~ erhält man die abfiihrbare Verlustleistung durch Multiplikation der Wärmestromdichte des Kühlmittels mit der Kühlkörperoberfläche A und der Temperaturdifferenz ~~ = (~K - ~Al nach GI. (6-12). ~A beschreibt die Temperatur des Kühlmediurns). Ohne Temperaturerhöhung kann ein Kühlkörper keine Leistung übertragen! inW
6.3
(6-12)
Kühlmedien
Erzielbare Werte für den Wärmeübergangskoeffizienten IX und die abfiihrbare Verlustleistung bei A = 100 cm2 und ~~ = 50 K sind in Tab. 6.2 angegeben: Tabelle 6.2 Anhaltswerte für den Wänneübergangskoeffizienten und die abfiihrbare Leistung (A ~ 0,01 m') bei Luft- und Wasserkühlung
Luft
Cl
unbewegt
stark bewegt
laminare Strömung
turbulente Strömung
5
50
500
5000
2,5
25
250
2500
inW/m2K
Pin Watt
6.3.1
Wasser (Rohrleitung)
Luftkühlung
Luft ist ein elektrisch isolierendes Kühlmedium und kann in Bezug auf den Kühlkörper ruhend oder bewegt sein (forcierte Belüftung). Die Luft verteilt die Wärme an die Umgebung. In einem geschlossenen Raum steigt dadurch die Temperatur des Kühlmediurns an (Konvektionsheizung). Die Temperaturdifferenz d~ ist durch die Verlustleistung gegeben. Damit die Temperatur des Kühlkörpers durch Erwärmung des Kühlmediurns nicht unzulässig ansteigt, muss für einen ausreichenden Luftaustausch gesorgt sein. In geschlossenen Räumen kann z. B. durch einen Wärmetauseher die Temperatur des Kühlmediurns konstant gehalten werden (indirekte Kühlung). Damit der Kühlkörper nicht verschmutzt, muss die Kühlluft unter Umständen gefiltert werden. Es kann jedoch auch günstiger sein, zu einer Flüssigkeitskühlung zu wechseln. Dies ist auch erforderlich wenn die Leistungsfähigkeit der Luftkühlung nicht ausreichend ist (siehe Tab. 6.2) bzw. wenn der verfügbare Einbauraum für den Kühlkörper nicht gegeben ist.
103
6.3 Kühlmedien 6.3.2
Wasserkühlung
Wasserkühlung wird allgemein als indirekte Kühlung eingesetzt. Das Wasser dient zum Wärmetransport zwischen dem Lüftkühler und den aktiven Bauelementen und muss über eine Pumpe umgewälzt werden. Die elektrische Isolierung erfolgt entweder durch die Bauelemente selbst, durch isolierende Wärmetauseher oder durch entionisiertes Wasser. Die Anwendung entionisierten Wassers setzt eine geeignete MaterialauswahI und eine Überwachungseinrichtung vomus. Abb. 6-12 zeigt den Aufbau einer Wasserkühlung fiir ein Halbleiterbauelement. Das Bauelement überträgt die Wärme mit einem angekoppelten Wärmetauseher auf das Wasser. Es gibt auch Leistungsbauelemente, deren elektrisch isolierter Gehäuseboden selbst als Wärmetauseher ausgefiihrt ist. Derzeit kann eine Verlustleistung von über 4 kW pro Bauelement (IGBT) abgefiihrt werden. Wichtig ist eine turbulente Strömung im Wärmetauseher, um das fiir die Wärmeübertmgung ungiinstige Strömungsprofil einer laminaren Strömung zu vermeiden. Die Wärmekapazität solcher Kühlsysteme ist allerdings sebr gering, so dass bei Ausfall des Wasserkreislaufs die Leistung sofort abgeschaltet werden muss. Bedingt durch den geschlossenen Wasserkreislauf mit einem Wasser-Luftkühler ist die Rücklauftempemtur des Kühlwassers mindestens 3 K höher als die Umgebungstempemtur (tA. Die abführbare Leistung ist durch die Differenz von Hin- und Rücklauftemperatur (ß(t) und dem Volumenstrom des Kühlmediums gegeben. Für die Stromrichterkühlung auf Fahrzeugen z. B. mit Hybridantrieb umfasst der Kühlwasserkreislauf weitere Verlustquellen wie z. B. den Verbrennungsmotor. Hierdurch liegt die Rücklauftempemtur des Kühlwassers fiir den Stromrichter in der Größenordnung von 80°C. Die nutzbare Temperaturdifferenz ist daher dentlieh eingeschränkt. Durch die Zugabe von Frostschutzmitteln ist die Wärmekapazität des Kühlwassers vermindert.
0°0° D
0
Q
0
Kühler mit Halbleiter Wärmetauscher Pumpe
Tank
Kühlwasser Rücklauf
Abbildung 6-12 K.ühlkreislaufbei einer Wasserkühlung
6.3.3
Siedekühlung
Zum Verdampfen einer Flüssigkeit wird eine bestimmte Wärmemenge, die Verdampfungswärme r benötigt. Bei der Siedekühlung wird diese Wärmemenge dem Verdampfer von der Wärmequelle (als Verlustleistung) zugefiihrt. Wird dieser Dampf anschließend in einem Kondensator durch Abkühlung wieder verflüssigt, so wird die Verdampfungswärme als Kondensationswärme an den Kondensator abgegeben. Es fmdet durch den Phasenübergang des Kühlmediums ein Wärmetmusport vom Verdampfer zum Kondensator statt (Kühlschrankprinzip).
104
6 Wärme-Management
Der Wärmetransport zum Kühlkörper setzt eine Temperaturdifferenz zwischen Verdampfer und Kühlkörper von bis zu 5 K voraus. Der Verdampfer hat einen kleinen Querschnitt, wie er durch die Bauteilgeometrie vorgegeben ist, und der Kondensator eine große Oberfläche AK , so wie es zur Wärmeabgabe an die Kühlluft erforderlich ist Als Siedemittel kann z. B. Wasser eingesetzt werden. Der erforderliche Siedepunkt der Flüssigkeit wird über den Innendruck der Wärmeleitung eingestellt Die Heatpipe hat einen sehr hohen Wärmeübergangskoeffizienten, welcher im Bereich 5000 W Im2K < a < 10000 W Im"K liegt. Wird in die Wärmeleitung, die in Abb. 6-13 als "Heatpipe" bezeichnet ist, eine elektrische Isolierung eingebaut, dann muss auch das Siedemittel elektrisch isolierend sein. Kondensator
Abblldung 6-13 Prinzip des Heatpipe-Kühlkörpers
Das Bauelement ist wie auf einem normalen Kühlkörper montiert.
Kühlblecb.e mit der
Der Wärmetransport erfolgt durch deo Phaseowechsel des Kühlmediums.
Oberllächc.A.K
Eine andere Ausführung der Siedekühlung zeigt Abb. 6-14. Bei der Siedebadkühlung taucht man die zu kühlenden Bauelemente mit einem Siedekörper (Verdampfer) vollständig in das isolierende Siedemittel ein. Der Wärmetransport erfolgt auch hier über den Phasenwechsel des Siedemittels mit einem Temperaturgefälle von nur wenigen Kelvin. Die Oberfläche des Kondensators AK hat eine gleichmäßige Temperaturverteilung und wird so groß gewählt, wie es für eine Luftkühlung erforderlich ist [15, 17]. Der Wärmetransport von der Verlustleistungsquelle zum Kühlkörper erfolgt bei der Siedekühlung (im Gegensatz zur Wasserkühlung) ohne zusätzliche Pumpen.
...
Kondensat
Luftgekühlter Kondensator mit Oberfläche AK
Dampft
Abblldung 6-14 Prinzip der Siedebadkühluog •
Siedeflüssigkeit
Das Kühlmedium ist elektrisch isoliereod.
Das Bauelement ist im Kühlme-
druckdichter Behälter Anforderungen an die Siedeflüssigkeit bei der Siedekühlung: ausreichend geringe Siedetemperatur (z. B. 45°C) elektrisch isolierend Materialverträglichkeit Umweltfreundlichkeit
dium eingetaucht.
105
7 Stromrichterschaltungen 7.1
Grundfunktionen
Stromrichter sind Einrichtungen zum Umformen elektrischer Energie unter Verwendung von Leistungshalblei!em. Bei der Kupplung von Wechsel- und Gleichstromsystemen ergeben sich hierbei vier Grundfunktionen: Gleichrichter..
o----1Z~ ..
Gleichrichten ist die Umformung von Wechselstromenergie in Gleichstromenergie (Energiefluss vom Wechselstromsystem zum Gleichstromsystem).
Wechselrichter
Wechselrichten ist die Umformung von Gleichstromenergie in Wechselstromenergie (Energiefluss vom Gleichstromsystern zum Wechselstromsystem).
0--1Z~ .. ..
Gleichstrom-Umrichten ist die Umformung von Gleichstromenergie mit gegebener Spannung und Polarität in Gleichstromenergie mit anderer Spannung und Polarität. Man spricht vom Gleichspannungswandler bzw. Gleichstrom-Umrichter.
Gleichstrom-Umrichter
G--1Z~ .. ... Wechselstrom-Umrichter
Wechselstrom-Umrichten ist die Umformung von Wechselstromenergie mit gegebener Spannung, Frequenz und Phasenzahl in Wechselstromenergie mit anderer Spannung, Frequenz und Phasenzahl. Man spricht von einem Wechsel- bzw. Drehstrom-Umrichter.
Abbildung 7-1 Grundfunktionen der Stromrichter
7.2
Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen
Die Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen der Leistungselektronik ist in der DIN IEC 971 festgelegt und erfolgt üblicherweise in einer dreistelligen Kombination von Buchstaben undZiffem. Der erste Buchstabe legt die Schaltungsfamilie fest: M:
Mittelpunktschaltung
B:
Brückenschaltung
W:
Wechselwegschaltung.
J. Specovius, Grundkurs Leistungselektronik, DOI 10.1007/978-3-8348-8270-7_7, © Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 2011
106
7 Stromrichterschaltungen
An zweiter Stelle wird die Pulszahl p bzw. die Phasenzahl m bei der Wechselwegschaltung angegeben. Unter Pulszahl versteht man die Anzahl nicht gleichzeitiger Stromübernahmen (Kommutierungen) eines Stromrichters innerhalb einer Netzperiode (p ~ 1,2, 3, 6, 12, 18, ...). An dritter Stelle wird die Steuerbarkeit in Form eines Buchstabens definiert: U: ungestenerte Schaltung (Dioden) H: halb gesteuerte Schaltuug (Thyristor fiir einen, Diode fiir den anderen Zweig) C: voll gesteuerte Schaltung (Thyristoren). Um besondere Kennzeichen der Schaltung hervorzuheben, können weitere Buchstaben angehängt werden, z. B. F fiir Freilaufdioden. Als allgemeine Symbole fiir Stromrichterventile (elektronische Leistungsschalter) werden verwendet:
ullgesteuertes Velltil
~I
7.3
einschaltbares Velltil
eill- ulld ausschaltbares Velltil
~F
~F=
Einteilung nach der inneren Wirkungsweise
Stromrichter lassen sich nach der inneren Wirkungsweise, d. h. nach der Art der Kommutierung unterteilen. Unter Kommutierung versteht man die Stromübergabe von einem Zweig des Stromrichters an den nächsten, wobei während der Kommutierung beide Zweige Strom führen. Wir unterscheiden bei der Kommutierung zwischen:
I. Stromrichter ohne Kommutierung Halbleiterschalter und Steiler fiir Wechsel- und Drehstrom 2. Stromrichter mit natürlicher Kommutierung beziehen ihre Kommutierungsspannung entweder aus dem speisenden Netz (netzgefiihrte Stromrichter) oder von der Last (lastgefiihrte Stromrichter). Beide Kommutierungsarteu werden unter dem Oberbegrifffremdgefijhrte Stromrichter zusammengefasst.
3. Stromrichter mit Zwangskommutierung verfügen beim Einsatz einschaltbarer Ventile über kapazitive Energiespeicher fiir die Kommutierung oder sie sind mit abschaltbaren Bauelementen (GTO, Transistor) ausgerüstet. Der Oberbegriff fiir Stromrichter mit Zwangskommutierung lautet selbstgefijhrte Stromrichter. Stromrichter, die Wechselstromenergie in Gleichstromenergie oder umgekehrt umwandeln, lassen sich danach unterscheiden, ob die Kommutierung auf der Wechselstrom- oder Gleichstromseite erfolgt: Stromrichter mit wechselstromseitiger Kommutierung arbeiten in der Regel fremdgefiihrt, Stromrichter mit gleichstromseitiger Kommutierung arbeiten selbstgefiihrt.
107
7.5 Mittelpunktschaltung MI
7.4
Leistungssteuerverfahren
Die Stenerung der elektrischen Energie erfolgt durch den schaltenden Betrieb leistungselektronischer Bauelemente. Während fiir Wechsel- und Drehstromanwendungen die Leistung durch verzögertes Einschalten der Verbraucherspannung erfolgt, muss bei Gleichstromanwendungen die Verbraucherspannung periodisch ein- und ausgeschaltet werden (pulssteuerung). Bei der Helligkeitssteuerung von Glühlampen und einfachen Antriebsanwendungen wird // die so genannte Phasenanschnittsteuerung an.:/_.---1---~-'----,r------,.--~ I gewendet. Durch Änderung des Steuerwinkels Cl kann die Verbraucherleistung stufenlos wt eingestellt werden. Cl
U
-
f--l-l--+-+-+--,------L-+-f--'-.I wl
Die Schwingungspaketsteuerung findet man häufig bei Temperatur-Regelungsverfahren. Es werden nur ganze Sinusschwingungen in unterschiedlicher Anzahl an den Heizwiderstand gelegt.
Das Prinzip der Pulsbreitenstenerung (PWM) wird heute bei den meisten leistungselektronischen Aufgaben angewandt. Die Leistung '-+-+--+--L---''--'-+--++-----'__I-.I wird durch Veränderung des Einschaltverhältnisses gesteuert. Aufgrund der bei allen Maschinen vorhandenen Induktivitäten ist der Motorstrom gegenüber der Spannung gegläti tet. Bei genügend hoher Taktfrequenz lassen '--------------~sich beliebige Stromkurvenformen (GleichI strom, sinusförmiger Wechselstrom) erzielen.
U
AbbUdung 7-2 Leistungssteuerung bei Gleich- und Wechselstromanwendungen
7.5
Mittelpunktschaltung Mt
In Abb. 7-3 ist als einfaches Beispiel fiir eine Gleichrichterschaltung die einpulsige Mittelpunktschaltung MI dargestellt. Die positive Halbschwingung der sekundären Transformaturspannung Us wird unverzögert auf die Last geschaltet. Die negative Halbschwingung wird durch die Ventilwirkung der Diode gesperrt. AbbUdung 7-3 Vogesteuerte Gleichrichterscbaltung MI mit ohmseher Last T: Transformator zur Spaonuogsanpassung uod Potenzialtrennung
Durch Anwendung des Maschensatzes nach GI. (7-1) sind die Spannungsverhältnisse dieser Schaltung beschrieben.
108
7 Stromrichterschaltungen mit
U
"ssin(wt)
s=
(7-1)
Die Ventilspannung Uy ist abhängig vom Schaltzustand des Ventils. Die Schaltzustiinde des Ventils werden durch die Stromrichtung bestimmt. Bei ohmscher Last will sich die Stromrichtung proportional zur Netzspannung Us einstellen. Uy
+-•
us~CP
/
--.....
...
\
\... M ) ,---------'
F'
Uy
~R
-•....•
/.-
ustCP
'.
,;
M
',-------,'
0
ud:
Us
Uy:
0
Us
us:
>0
<0
F' ~R
AbbUdung 7-4 Schaltzustände und Spannungen im vereinfachten Schaltbild
Bei einer sinusf6rmigen Spannung Us gilt für den Gleichspannungsverlauf nach Abb. 7-5 folgende Definition:
0" wt"TI w t" 2 TI
TI "
Diodeleitet : ud = "ssin(w·t) Diode sperrt: ud
(7-2)
=0
:p:";-fm?; I~.
AbbUdung 7-5 Gleichspannungsverlauf und Mittelwert ud der MI-Schaltung
Periodendauer Man erkennt, dass die Gleichspannung neben einem Gleichanteil (Mittelwert Ud = UdAy) auch einen Wechselanteil ud_ enthält, d. h. die Gleichspannung ud ist eine Mischgröße. Eine harmonische Analyse der Gleichspannung ud liefert die Fourierreihe:
ud(t)
=
+
U dAV
•
L(avcos(vwt) v- I
+ bvsin(vwt)) =
U dAV
+ udjt)
(7-3)
In GI. (7-3) ist UdAV der Mittelwert oder Gleichrichtwert. Der Wechselanteil Ud-(t) besteht aus einer Reihe von sinusförmigen Schwingongen (Harmonischen) mit den Frequenzen vw und Amplituden avund b,..
av
=
2 T
T
fo ud(t)cos(v wt)dt
1 2'11:
=-
f ud(wt)cos(vwt)dwt
TI 0
(7-4)
7.5 Mittelpunktschaltung MI
109
I
=-
J ud(wt)sin(vwt)dwt
2.
(7-5)
TI 0
Man bezeichnet die Anteile, deren Frequenzjmit der Frequenz der Netzspannung übereinstimmt, als Grundschwingung mit der Ordnungszahl v ~ I. Fasst man die sin- und cos-Anteile gleicher Frequenz zusammen, so erhält man fiir Ud: ,'/-
"._------------------ ----------',
+ ( LUd
sin(vwt+cp ) )
(7-6)
\.,x""J_____~__________________~__ -/
Wechselanteil Ud_ Für die Amplitude und Phasenlage der v-ten Oberschwingung gilt: mit
(7-7)
Den Mittelwert der Gleichspannung UdAV unter Vernachlässigung von Spannungsabfällen am Ventil und am Netztransformator bezeichnet man als ideeUen Gleichrichtwert Udi • Die ideeUe Gleichspannung Udi berechnet sich mit der Spannungsdefinition nach GI. (7-2):
=
Us
2rc·(-[cos(rc) - cos(O)]) (7-8)
Der Effektivwert UdRMS der Mischspannung Ud(t) berechnet sich zu:
J
A2 •
U
dRMS
=
s
U -2 sin2 (00 rc 0
t)doot
=
U ~_I . (l.oo t _ S 2rc
2
sin(2oo 4
t))rr 0
(7-9)
Us
Us
UdRMs=T= -.J2 = 0707·U ' S Der Gleichspannungseffektivwert UdRMS setzt sich aus dem Mittelwert Udi und einem Wechselanteil Udi_ entsprechend GI. (7-10) zusammen. (7-10) Bei ohmseher Last ruft die Gleichspannung Ud als Gleichstrom id wiederum einen Mischstrom mit dem Gleichanteil id- und dem Wechselanteil id- nach GI. (7-11) bzw. Abb. 7-6 hervor. (7-11)
110
7 Stromrichterschaltungen
~
Abblldung 7-6
Netzspannung ("")
.................t................
und -strom (id-)
Der Gleichanteil
rot
(i...) wird von einem
Transformator nicht übertragen.
Ohne vorgeschalteten Transformator wäre der Netzstrom iN ebenfa\\s eine Mischgröße und das versorgende Wechselspannungsnetz mit einer Gleichstromkomponente id~ belastet. Der in Abb. 7-3 vorgeschaltete Transformator T überträgt nur den Wechselanteil id_ (Abb. 76). Der Eisenkern wird durch den Gleichstrom id~ als Magnetisierungsstrom vormagnetisiert. Abb. 7-7 zeigt das Ersatzschaltbild der MI-Schaltung mit vorgeschaltetern Transformator.
iN
L,,2
L", i.
""~
Lh
:'
id-
,- ,------------------
!.
l"ld= '.
Abblldung 7-7
id
'.
Mt
~
MI-Schaltung mit Netztransformator (ü ~ I) Ud
Strompfad des Gleichanleils id_durchLh
------------------
B
-2 Abblldung 7-8 Auswirkung des Gleichstromanleiles auf den Arbeitspunkt
-1
o
1
2
3
i./A _ _
Abblldung 7-9 Lh-Kennlinie
Der sekundärseitige Gleichanteil id_ fließt als Magnetisierungsstrom über die wegen des Eisenkernes nichtlineare Hauptinduktivität Lh' Abb, 7-8 zeigt den dadurch verlagerten Arbeitspunkt des magnetischen Kreises, Die modellierte Abhängigkeit der differentiellen Induktivität Lh,dif'f vom Magnetisierungsstrom i. zeigt Abb, 7-9 [16], Als Folge des Gleichanteils und der Sättigung des magnetischen Kreises ist der Magnetisierungsstrom unsymmetrisch, Abb. 7-10 zeigt eine Simulation dieser Schaltung unter Berücksichtigung der Lh-Kennlinie nach Abb. 7-9.
7.5 Mittelpunktschaltung MI
111 Abbildung 7-10
u
MI-Schaltung mit
ohmseher Last
!
\... 7_5_1
Sättigungseinfluss auf den Netzstrom
t
/ •... ~./
iJl: Magnetisierungs-
strom
Transformator-Bauleistung
Die Transformator-Bauleistung ST ist als Mittelwert von primärer Scheiuleistung SI und sekundärer Scheinleistung S2 defIniert. Unter der Annalnne eines verlustfreien Transformators mit einer Primärwicklung I und einer Sekundärwicklung 2 erhält man für die Scheiuleistung die Beziehungen: SI = U(1 1
S2 = U 2·12
U und 1 sindEffektivwerte (7-12)
Bei einem Stromrichtertransformator können die Wicklungsströme Gleichanteile und Stromoberschwingungen enthalten. Oberschwingungen und Gleichanteile übertragen keine Wirkleistung, führen aber zu Stromwärmeverlusten (P R) in den Wicklungen.
Primär- und sekundärseitig treten daher unterschiedliche Scheiuleistungen auf. Ein Stromrichtertransformator hat deshalb, bezogen auf die ideelle Gleichstromleistung Pdo eine vergleichsweise große Bauleistung. Im Falle der MI-Schaltung mit ohmscher Last nach Abb. 7-3 erhält man für eine Netzspannung UI von 230 V, einem angenommenen Widerstand von 10 n und einer Übersetzung von ü = I folgende allgemeingültige Aussage:
U j =230 V U 2 =
U
"22 =
U2
u2
162,63 V nach GI. (7-9) und U di= i t = 103,54 V nach GI. (7-8)
analog: I s = Ion = 16,26A
Udi I d = Ion = 10,35A
SI =230V·12,54A =2884 VA,
12
1 1=l s _= V1 s -
2
I d = 12,54A
S2= 230V·16,26 A = 3740 VA
mit ST = 3312VA nach GI. (7-11) und Pd = U di1d= 1071,6 VA folgt allgemein:
ST
p
= 3,09
d
Aufgrund der ungünstigen Baugröße (ST = 3,09 PM und dem Problem der Gleichstromvormagnetisierung scheidet die MI-Schaltung für Anwendungen höh= Leistung aus.
112
7 Stromrichterschaltungen
7.5.2
Kapazitive Last
..
f-'--
-'-'~[>If----e-·-~
mit
uN
= \'iN .in(w't)
folgt für uc " uN
iC
U
c=
~ sin(w't)
Uc C
duC dt
i =C,-
c
AbbUdung 7-11 MI-Schaltung mit kapazitiver Last
(7-13)
°
Im Nullpunkt ist wegen cos = I der Anfangswert des Kondensatorstromes ic(O) gleich dem Scheitelwert nach GI. (7-13), Im Idealfall ist die Stromsteilheit in Abb, 7-12 nicht begrenzt. In der Praxis stets vorkommende Leitongsinduktivitäten (LeI) bilden zusammen mit dem Kondensator C der MI-Schaltung nach Abb. 7-11 einen Reihenschwingkreis. Der Einschaltstrom des Kondensators ic (t 2: 0) bildet eine gedämpfte Schwingung und hat daher eine endliche Steilheit im Nullpunkt. Die Stromamplitude dieser Schwingung kann durch Gleichsetzung der Energie des elektrischen und magne1ischen Feldes nach GI. (7-14) berechnet werden. (7-14) Für verschwindende Induktivitätswerte La strebt die Schwingnngsamplitude ic gegen unendlich. Bei solchen Schaltungen ist eine Mindestinduktivität im Stromkreis erforderlich, um den Ladestrom zu begrenzen. Bei Verwendung eines Eingangstransformators ist hierfür die Streuinduktivität des Transformaturs maßgebend.
/
Strom-Eigenschwingung durch Lu
ie
2" rot
Abblldung 7-12 Kondensatorspannung und -strom, Einfluss voo Leitongainduktivitäten
7.5 Mittelpunktschaltung MI
113
Zur Beschreibung einer kapazitiven Glättung mit eingeprägtem Laststrom dient Abb. 7-13. Die Last wird durch eine Konstantstromquelle Jo nachgebildet. Der Kondensator C wird abwechselnd geladen und entladen, so dass sich eine Gleichspannung ue nach Abb. 7-14 einstellt.
Uv
Abbildung 7-13
K
Kapazitive Last mit eingeprägtem
Gleichstrom 10
ie
C
In Abb. 7-14 ist für 0 < I< 11 die Gleichspannung Ue durch die Netzspannung Ur< bestimmt (C wird geladen). hn Bereich 11 < 1:"012 übernimmt der Kondensator C den gesamten Laststrom und iN geht gegen Null. Für 1 > 12 wird C entladen und Ue fällt linear ab. Der Spannungsabfall ist proportional zu Jo und umgekehrt proportional zur Kapazität C. Sobald Ur< wieder größer Ue ist, schaltet sich die Diode ein und C wird geladen (ue ~ Ur<).
Abbildung 7-14 Strom- und Spannungsverläufe bei der kapazitiven Glättung mit eingeprägtem Laststrom. Es treten unterschiedliche Leitzustäude auf.
Abb. 7-15 zeigt die Schaltzustände bei einer kapazitiven Glättung. Mit dem rechten Schaltbild kann die Schwankung der Gleichspannung Ud ermittelt werden. Mit einer Konstantstromquelle ermittelt man wegen des linearen Spannungsabfalls im Vergleich zu einer olnnschen Last mit ihrem exponentiellen Spannungsverlauf eine etwas größere Spannungsdifferenz. Die Schwankung der Gleichspannung wird durch die Welligkeit nach GI. (7-15) beschrieben. Darin ist Ud,v der Effektivwert der v-ten Oberschwingung
wu
Spannungswelligkeit
wU
(7-15)
114
7 Stromrichterschaltungen
laden
entladen
OSt< t 2
"NtC K:
K
VI
~ ue
D
~i
iN
K
"-
iN
t 2 StSt 3
=0 = = ie +
duc i =C-e dt
-i
~
10
ie
=~c
N
+
ie
ue
~
r ie
=~c
-i e - 10 = 0 ie = -10
+ 10
10
u e (12 S t S t 3 ) =
ue = uN
U
1
0 - t ) (t) - -.(1 e 2 C 2
Abbildung 7-15 Leitzustände bei der kapazitiven Glättung
7.5.3
Ohmsch-induktive Last
Mit dem Ansatz des Maschensatzes auf Abb. 7-16 folgt die Differenzialgleichung (7-16): iN
VI
"NJ
URt ULt
:)~
u N = ~sin(wt)
=
di N iNR+Ld(
(7-16)
Mit der Lösung für iN: t
iN
= IN(sin(wt -
Cl + Ö steuerbar. Bei den üblichen nadelförmigen Zündimpulsen liegt hier jedoch kein Zündsignal mehr vor.
120
7 Stromrichterschaltungen
7.6.3
Schaltbetrieb mit ohmsch-induktiver Last Betrachtet wird das Einschalten einer ohmsch-induktiven Last in Abhängigkeit vom Einschalt-
zeitpunkt, beschrieben durch den Steuerwinkel Cl. Die Differenzialgleichung für den Strom ir< nach GI. (7-16) wird nun unter Berücksichtigung des Steuerwinkels Cl mit GI. (7-25) gelöst. Die Simulationsrechnung nach Abb. 7-27 zeigt einen Einschaltvorgang mit der natürlichen Phasenverschiebung (a ~
w
Temperatur Leistuogsfaktor Ordnungszahl Raumladungsdichte spezifische Leitfähigkeit Zeitkonstante verketteter magnetischer Fluss Phasenwinkel Potenzial magnetischer Fluss Kreisfrequenz
Indizes A A AV B C D d E F G K
Anode, Akzeptor Ambient (Umgebuog) Arithmetischer Mittelwert Basis Kollektor, Case (Gehäuse) Drain, Donator Gleichgröße Emitter Durehlassrichtuog Gate, Steueranschluss Kathode, Küblkörper
max
Größtwert Kleinstwert R,r Sperrrlchtuog, Relativ RM Maximalwert in Rückwärtsrichtuog RMS Effektivwert S Souree T Durchlassrichtuog bei Thyristoren V Verlustleistuog VZ Verzerruogsanteil 0 Leerlauf, Resonanz, Vakuum Wechselanteil
min
366
Formelzeichen
Abkürzungen AC
Alternating Current (Wechselstrom)
PFC
Power Factor Correction
AFE
Active Front End
PG
Pulsgleichrichter
AV
Average Value (Mittelwert)
PLG
PolradIagegeber
BT
Bipolartransistor
PWM
Pulse Width Modulation
CSI
Current Source Inverter (IWR)
PWR
Pulswechselrichter
DAM
Drehstrom Asynchronmaschine
RMS
Root-Mean-Square (Effektivwert)
DC
Direct Current (Gleichstrom)
SCR
Silicon Controlled Rectifier
DSM
Drehstrom Synchronmaschine
SEI
Solid Electrolyte Interphase
DSR
Direkte Selbstregelung
SiC
Siliciumcarbid
GTO
Gate turn off (-Thyristor)
SOA
Safe Operating Area
lEGT
Injection Enhancement Gate Transistor
THC
Total Harmonie Current
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
UWR
Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (VSI)
IGCT
Insulated Gate Commutated-Thyristor ZCS
Zero Current Switch
IWR
Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (CSI)
VSI
Voltage Source Inverter (UWR)
LDO
Low Drop Output
ZVS
Zero Voltage Switch
4QS
Vierquadrantensteller
MOSFET Metall Oxid Semiconductor
Schreibweisen Die Symbole physikalischer Größen sind kursiv gesetzt ( z. B. U oder 1), ihnen kann ein beliebiger Wert zugewiesen werden. Dagegen sind Zahlen wiee oder " sowie Einheiten und Symbole mathematischer Operatoren (z. B. das Differenzialzeichen d oder auch das Symbol für den Imaginärteil j) steil gesetzt. Physikalische Zusammenhänge können entweder im Zeit- oder Frequenzbereich beschrieben werden. Symbole physikalischer Größen im Zeitbereich sind stets klein gesetzt (z. B. u, i, P bzw. ;', i ,p für die Scheitelwerte (bei sinusfOrmigen Größen heißt der ScheitelwertAmplitude). Symbole zeitlich konstanter Größen wie Mittel- oder Effektivwerte sind groß gesetzt fl, I, p). Vektoren sind arn Preil über den Symbolen zu erkennen (z. B. E). Komplexe Größen (z. B. Il.lJ haben zur Kennzeichnung eine Unterstreichung. Bei den entsprechenden Zeigergrößen wird zwischen Effektivwertzeigem (ll, die Zeigerlänge entspricht dem Effektivwert) und Scheitelwertzeigern (ii , die Zeigerlänge entspricht dem Scheitelwert) unterschieden.
367
Weiterführende Literatur [I] Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik. Berlin Heidelberg: Springer, 1979 [2] Michel: Leistungselektronik. Berlin Heidelberg: Springer, 1996 [3] Meyer: Leistungselektronik. Berlin Heidelberg: Springer, 1990 [4] Jenni, Wüest: Steuerveifahren für selbstgeführte Stromrichter. Stuttgart: Teubner, 1995 [5] Schröder: Elektrische Antriebe 1. BerlinHeidelberg: Springer, 1994 [6] Schröder.: Elektrische Antriebe 2. Berlin Heidelberg: Springer, 1995 [7] Schröder: Elektrische Antriebe 3. Berlin Heidelberg: Springer, 1996 [8] Schröder: Elektrische Antriebe 4. Berlin Heidelberg: Springer, 1998 [9] Felderhoff, Busch: Leistungselektronik. München Wien: Hanser, 2006 [10] Böhmer: Elemente der angewandten Elektronik. Wiesbaden: Vieweg, 2007 [lI] Anke: Leistungselektronik. München Wien: Oldenbourg, 2000 [12] Hagmann: Leistungselektronik. München Wien: Aula, 2006 [13] Stephan: Leistungselektronik interaktiv. München Wien: Hanser, 2001 [14] Quaschning: Regenerative Energiesysteme. München Wien: Hauser, 2006 [15] Jäger, Stein: Leistungselektronik. Berlin Offenbach: VDE, 2000 [16] Jäger, Stein: Übungen zur Leistungselektronik. Berlin Offenbach, VDE, 2001 [17] Bmsch, Landrath, Wehberg: Leistungselektronik. Wiesbaden: Vieweg, 2000 [18] Semikron (Hrsg.): Applikationshandbuch 2004. Nürnberg: Sernikron,2004 [19] Habiger: Elektromagnetische Verträglichkeit. Heidelberg: Hüthig, 1998 [20] Block, Hölzel, Weigt, Zacher!: Einführung in die Elektronik. Köln: Stam, 1996 [21] Schlieuz: Schaltnetzteile und ihre Peripherie. Wiesbaden: Vieweg, 2003 [22] Budig: Stromrichtergespeiste Drehstromantriebe. Berlin, Offenbach: VDE, 2001 [23] Goßner: Grundlagen der Elektronik. Aachen: Shaker, 2002 [24] Franz: EMV. Stuttgart, Leipzig, Wiesbaden: Teubner, 2002 [25] Kremser: Elektrische Maschinen und Antr. Stuttgart, Leipzig, Wiesbaden: Teubner, 2004 [26] Henke: Elektromagnetische Felder. Berlin Heidelberg: Springer, 2004 [27] Reiseh: Halbleiter-Bauelemente. Berlin Heidelberg: Springer, 2005 [28] Lutz: Halbleiter Leistungsbauelemente. Berlin Heidelberg: Springer, 2006 [29] Petri: Potential 0/Power Electronics and Basic Political Conditions to improve Energy
Efficiency 0/Electrical Loads. Nürnberg: ECPE, 2007 [30] European Center for Power Electronics e. V. (ECPE): www.ecpe.org [31] Dohlus: Photonik. München: Oldenbourg, 2010
J. Specovius, Grundkurs Leistungselektronik, DOI 10.1007/978-3-8348-8270-7, © Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 2011
368
Weiterfiihrende Literatur
Normen (Auswahl) DIN 40110
Wechselstromgrößen
DIN 41750
Begriffe fiir Stromrichter
DINIEC971
Halbleiter-Stromrichter: Kennzeichnungssytem fiir Stromrichterschaltungen
DINEN 50081
Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) Fachgrundnorm Störaussendung
DINEN 50 082
Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) Fachgrundnorm Störfestigkeit
DINEN60146
Halbleiter-Stromrichter (Ersatz fiir VDE 0558)
DINEN 60 617
Graphische Symbole für Schaltpläne
DIN EN 61 000 Serie
Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)
DINEN61800
Drehzahlveränderbare elektrische Antriebe
DIN EN 60 747 Tei12
Gleichrlchterdioden
DIN EN 60 747 Tei16
Thyristoren
DINEN 50178
Ausrüstung von Starkstromanlagen mit elektronischen Betriebsmitteln (Ersatz für VDE 0160)
IEC50
International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 551: Power Electtonics
DIN EN 60 034-1
Drehende elektrische Maschinen
DIN EN 60 034-30
Wirkungsgrad elektrischer Maschinen
DIN EN 61 136-1
Semiconductor Power Converters: Adjustable speed electric drive systems - Rating specifications, particulary for d. c. motor drives
DIN EN 62 040-1-1
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
DINEN62311
Bewertuug von elektrischen und elektronischen Einrichtungen in Bezug auf Begrenzungen der Exposition von Personen in elektromagnetischen Feldern (0 Hz - 300 GHz)
369
Sachwortverzeichnis A
D
Abschaltvorgang 23,46,62,70,87,92,94 Active Clamp 70 Active-Front-End 185,343 ACPI 358 aktiver Bereich 39 aktive Last 126, 213, 33lf. Akzeptoren 6 Anfangsüberlappung 177 Arbeitspunkt 20, 3lf., 35, 37ff., 42, 45,110, 294,307f. ASCR 81,91 Ausschaltenergie 36f. Ausschaltverluste 48 Aussteuerung 229,237,330 Autonomiezeit 347 Avalanche-Durchbruch 12,64
Darlington-Transistor 42, 82 Defektelektronen 4f. Derating 27 Desaturation Protection 68 Diac 90 Dielektrizitätskonstante 8 differentieller Widerstand 16 Diffusions - dreieck 39f. - ladung 10.21,41 - spannung 26 - strom 7, 19f., 85, 93 Dioden Ersatzschaltbild 16 Kernlillrie 17,30f.,35 Kommutierung 219f. Parallelschaltung 27 Reihenschaltung 26 Donatoren 6 Doppelschichtkondensator 352 Dotierung 5ff., 13f., 15, 18, 63f. Drain 5Iff., 55, 57 Drehfeld 212,218, 284ff., 296, 302f. Drehmoment 277ff., 284f., 290, 292, 294, 301ff., 307, 309 Drehoperator 251 Drehspannungssystem 214 Drehstromsteller 117, 290 Dreipunktwechselrichter 275 Driftstrom 7, 9, 20 Durchbruchmechanismen 12 Durchlass - betrieb 9, 14, 17, 19,21,35,43 - richtung 9, 15f., 30, 51, 62, 83, 88f. - spannung 8f., 12, 17,27,59,65,346 - strom 10, 14f., 19f., 29f., 346 - verluste 33,37,43,67,91 Duty cycle 44
B Bandabstand 4f. Bandbreite 180 Basisstrom 34,36,39, 41f., 50, 60, 81 Beiastongskennlinie 137f., 154,350 Bipolar 10,33, 35ff., 42f., 53, 58ff., 86 Blindleistung 175 Blockierspannung 83 Blocktaktung 211,262,299 Body-Diode 53, 57 Boom 184,286,302,336f.,359 Bootstrap 71 Brennstoffzelle 350 Brückenschaltung B2 82, 139f., 178f., 187 B6 156ff., 170, 178ff., 189f., 216, 297 Brückenzweig 186,220,332 Bufferlayer 64 Bulk 51
C clamp 41,70 crest factor 182,213,347 current tail 41, 60, 93
E Early-Effekt 34,39, 83 Eckfrequenz 286
J. Specovius, Grundkurs Leistungselektronik, DOI 10.1007/978-3-8348-8270-7, © Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 2011
370 Effektivwert 17, 44 Eigenleitung 12 Einraststrom 86 Einschaltenergie 36f. Elektronenbeweglichkeit 4 Elektronenkanal 52, 60 EMV 2,73,80,311,343 Energie - dichte 356 - effIZienz I, 307f., 310, 345 - speicher 351 Energiesparlampe 345 Ersatzkapazität 56, 67
F Filter 343 Flankenmodulation 270 Flicker 347 Freilaufdiode 106, 206ff., 222, 244, 328 Freiwerdezeit 196, 199f., 222
G Gate - anschluss 56, 69, 82, 85, 90 - Kapazität 56f., 65f., 72f. - strom 66f., 69, 73, 82, 84ff., 92ff., 122 - zündung 84 GATT 81 Gegenspannung 126 Gehäusetemperatur 21,29,95,98 Generation 5 Glättungs - kondensator 181, 183, 336f. - induktivität 131 Grenzschicht 7 Grundfrequenztaktung 231f., 259, 263, 274f. Grundschwingungsgehalt 183,258,275 GTO 33,65,82, 91ff., 106, 198,261,271
Sachwortverzeichnis HGÜ 80f., 91, 173f. Hilfsemitter 69 Hybridantrieb 356, 359
I lEGT 65 IGBT 58ff., 62ff., 68ff., 75ff., 227, 239, 261,271,299f. IGCT 94 Impulsformung 86 intrinsische Trägerdichte 5 induktive Gleichspannungsänderung 136f., 153f. Influenzladung 51 Integrationsdichte 52 Inversdiode 53, 57f. Inversionskanal 52 IWR 205,216, 220f., 299ff.
K Kippschlupf 290f. Klirrfaktor 257f., 273 Knick-Kennlinie 16, 148 Kollektor 33ff., 44ff., 50, 53, 61, 63, 68ff., Kommutierung 150ff., 165, 169,207, 215ff. Kommutierungs 177,187,193 - drossel 193 - induktivität 133f., 137, 193,281 - spannung 106, 134, 141, 150, 189,207 - strom 134 - versagen 135f. - zeit 134 Konvektion 95, 98f., IOlf. Koppelfaktor 345 Kopplungspfad 312 KühIkörper 96, 98, 100ff., 104 Küh1medium 96ff., 100, 102f. Kurzschlusspunkt 31
L H Halbbrücke 71ff. Halbleiter 6,95,98, 105f. Haltestrom 85,87,93 Heatpipe 104
Lagerströme 321,327 Lawinendurchbruch 64 ldo 282, 303f. Leistungs - anpassung 32, 232, 353
371
Sachwortverzeichnis - faktor 182f., 216, 349 - dichte 351 - gradient 351 Leitbediogung 215 Leiterspannung 210,235 Leitungsmechanismen Eigenleitung 5,7, 12, 15 Löcherleitung 6 Störstellenleitung 6 Leistungstransistor 33, 38ff., 52f., 57, 327 Löcherstrom 9f. Löschkondensator 89 Luftküh1ung 102, 104 Lück - betrieb 124ff., 131, 144, 161ff, 333ff. - wiukel 124
- primär getaktet 342f. - sekundär getaktet 342 Nullkippspannung 82f. Nullzeiger 254f.
o Oberschwingungsblindleistung 177 Oberschwingungsgehalt 180 OLED 348
p
Maguetisierungsstrom 110,284,304,340 Majoritätsladungsträger 10 maschinengefiihrt 282 Matrixumrichter 299 Miller Clamp ... 71 Mindesteinschaltzeit 73 Mischgrüße 44, 108f., 110, 115, 121 Mitspannung 127f. Mittelwert 17,29,35,44,121, 129f., 137, 226f., 327 Mittelpunktschaltung MI 107ff., 115f., 140, M2 121ff., 129f., 133f., 136, 175 M3 141, 143, 146, 149, 153ff. Modulations - funktion 228f., 233, 241, 243, 258 - grad 228, 263, 266, 268 MOSFET 51ff., 55ff., 65f., 94, 345 MPP 31,349 Multi-level-inverter 223, 250, 313
Parallelschaltung 27f., 58, 64, 73, 80, 170ff., 325 parasitäre Induktivität 49f., 80, 327 Pendelmoment 213,257,275,287,301 PFC 183f. - Drossel 183 - Schaltung 183f., 343, 345 Phasenfolgewechselrichter 89,214,218 Phasenspannung 210,235 Phasenstrom 305 Phasenverschiebung 175 Phasenwinkel 114, 119, 175, 184f., 285 photovoltaischen Stromversorgung 350 Pinch-Off 55 pin-Diode 14, 18f., 22, 59 pn-Diode 15f., 19f., 30 po-Übergang 7ff., 15,30,40, 51ff, 64, 83ff. Poisson-Gleichung 8 Power Factor 183 Power-Management 354 Poynting-Vektor 325 Press pack 77 psn-Diode 14, 19,21,38 Psophometrischer Störstrom 316 Pulssteuerung 107, 268 Pulszahl 106,170, 173f., 179, 178ff., 297 PWR 18,295, 348f.
N
R
M
Nahfeld 314 Netzdrossel 351 Netzfilter 316f. netzgefiihrt 87, 106, 115, 121 Netzteil Schalt- 341 ff.
Ragone-Diagrarnm 363 Raumladungs - dichte 7f. - zone 7ff., 23, 30, 34, 39, 41, 51, 55 Raumzeiger 251 RCD-Beschaltung 37,49f. Reflexionsfaktor 323
372 Rekombination 5, 9f., 19f., 23, 41, 62f., 93 Reluktanzmotor 281 Resonanzübertrager 345 Rückspeisung 299ff., 310, 332 Rückstromspitze 328
S Saugdrossel 170, 172, 208 Saugkreis 240 Schalt - frequenz 37,50, 93f., 201, 227, 257ff., 271f., 307, 327f., 330 - leistung 2, 36, 80, 82, 94, 327 - netzteil 53,34Iff. - verluste 24, 36f. - zustände 35, 108146, 157, 165,210, 224(,230, 243ff., 249(,274( Scheibenbauweise 80, 82 Scheitelwertzeiger 251 Schlupf 285f., 289f., 292, 295f. Schlupfkompensation 302 Schonzeitwinkel 168,176,199,222,283 Schweifstrom 41, 62 Schwenksteuerung 23lf. Schwingkreiswechselrichter I 95ff. Schwungradspeicher 35lf. selbstgefiihrt 25, 87, 89, 106,205,207 Shockley 15,31 Shunt 240 Siedekühlung 103f. Signal Gegentakt- 320 Gleichtakt- 320 Silicon Limit 53 Sinusfilter 205, 348 Sinus PWM 276 Skin-Effekt 288, 326 Smart-Grid 358 Snubber 25 SOA 38,49 Soft-Recovery 23 Solarzelle 30ff., 349 Spannungs - steilheit 37,61,71,80,84,91,275, 312f., 321, 324f. - raumzeiger 254f., 301 - rückwirkung 56 - welligkeit 113, 182,241
Sachwortverzeichnis Speicherladung 10, 26, 40f. Speicherdrossel 184(, 329, 336f., 339, 344 Speichertechnologien 351 Sperr - richtung 9, 11, 15, 51 - spannung 12, 14, 15, 19,23,26,34,52, 64, 83, 88f., 220 - strom Uf., 15,26,31 Steiler Gleichstrom- 278, 328f., 33lf. Hochsetz- 332, 336f., 343ff., 349, 353 Tiefsetz- 203, 327f., 332f., 335ff., 340ff. Wechselstrom- 279, 290 Steuer - blindleistung 175 - kennlinie U8, 128, 145,265,270 - leistung 67f., 86 - verfahren 107,257 - winkel 107, 117, 119f., 122ff., 138, 143ff., 16lf., 283 Stoßprozess 12 Stör - festigkeit 311,314 - größe 311f.,314f.,317 - vermögen 311,314 Strahlungskopplung 314 Streuinduktivität 209 Strom - flusswinkel U9, 124 - lücken 124,144,293,326 - oberschwingungen 178 - steilheit 22ff., 48f., 61, 68ff., 84ff., 9lf., 94, 216f., 328 - welligkeit 131 stromkompensierte Drossel 318 Stromrichterkaskade - übersynchron 294 - untersynchron 294 Stromrichtermotor 81, 195, 28lf., 287 Subharmonische 260, 264 Synchronmaschine 257, 28Iff., 284ff., 294ff., 309
T Taktung 3-fach- 268, 270f. asynchron- 260(,263,268 Grundfrequenz 259, 263, 268, 274, 276
Sachwortverzeichnis
373
synchrone- 260f., 263, 268 Taktzahl 258ff., 263f., 268, 271ff. Tastgrad 44 Temperaturzyklus 79 Tesla-Transformator 345 THC 178 THD 258 Threshold-Spannung 55 Thyristor 33,58, 76ff., 106, 116,261,315 AbschaItverstärkung 92, 94 Amplifying Gate 90 Blockierspannung 83 Eioraststrom 84, 86 Freiwerdezeit 88f.,91 Haltestrom 85, 87, 93 Schonzeit 215,222 Tiefsetzsteller 317 Transformator 141, 339ff. - bauleistung 111, 130f., 140, 149, 160 Trägersigna1 265f., 268 Trägerspeichereffekt 10 Treiber 65ff., 71, 73 Trench-Gate 65 Trittgrenze 138 TSE-Beschaltung 89
Durchfluss- 340 Gegentakt- 340,343 invertierender- 337 Sperr- 337,339,342 Wannenwiderstand 58 Wasserkiihlung 75, 102ff. Wärme - kapazität 97, 99f., 103 - leitung 95, 104 - strahlung 95 - stromdichte 102 - transport 96ff., 103f. - übertragung 95f., 103 - widerstand 97f., lOOf. Wechselanteil 44,132 Wechselfeld 340 Wechselrichter 74, 283 299f., 305 Wechselrichterkippen 138, 196 Wechselstromsteller 117,279,290 Wechselwegschaltung 106, 116f. Wellen - geschwindigkeit 323 - widerstand 323 Windgenerator 294f., 354 Wirkungsgrad 287, 289f., 292, 296, 306ff., 348ff., 352ff.
U
z
Überlappung 134ff., 138 Universalschalter 71,224 Unterschwingungsverfahren 265, 269 USV 349f. UWR 21Of., 257ff., 299ff.
v Verluste Durchlass- 37,43,57 Schalt- 24, 36f. Verlustleistung 36, 85 Verschiebungsstrom 84 Verzerrungs - anteil 212, 232, 258, 273, 288 - leistung 175ff. - strom 213 Viertelperiodensynnnetrie 259, 272
w Wandler
Z-Diode 47,86 Zener-Durchbruch 12 Zeiger Null- 254f. Raum- 25lf., 254f. Scheitelwert- 251 Zero-Current-Switch 202f. Zero-Voltage-Switch 202 Zugriffszeit 351,354 Züodimpuls Folgeimpuls 16lf. Hauptimpuls 161 Zwangslöschung 87 Zwischenkreis - drossel 282 - kondensator 210, 239f., 295, 305 - spannung 224ff., 24lf., 246f., 275f., 300ff.,310 - strom 230, 234, 238ff., 282, 293f., 305 Zyklenfestigkeit 79